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CINETIQUE DU RECUIT DES DEFAUTS D'IRRADIATION DANS SI P AUX TEMPERATURES 150-300 KMUKASHEV BN; KOLODIN LG; NUSUPOV K KH et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 6; PP. 1174-1178; BIBL. 25 REF.Article

STUDY OF PRIMARY AND SECONDARY RADIATION DEFECTS FORMATION AND ANNEALING IN P-TYPE SILICONMUKASHEV BN; KOLODIN LG; NUSSUPOV KH et al.1980; RAD. EFFECTS; GBR; DA. 1980; VOL. 46; NO 1-2; PP. 79-84; BIBL. 28 REF.Article

IMPLANTATION SIMULTANEE D'IONS GALLIUM ET BORE DANS LE SILICIUMVAVILOV VS; KUSAINOV ZH A; MUKASHEV BN et al.1980; DOKL. AKAD. NAUK SSSR; ISSN 0002-3264; SUN; DA. 1980; VOL. 251; NO 6; PP. 1382-1384; BIBL. 6 REF.Article

DEFAUTS D'IRRADIATION DANS LE SILICIUM DE TYPE P IRRADIE PAR DES PROTONS D'ENERGIE 30 MEVGRIGOR'EVA GM; KOLODIN LG; KREJNIN LB et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 11; PP. 2176-2180; BIBL. 27 REF.Article

ETUDE DES PROFILS DE DISTRIBUTION DU PHOSPHORE DANS LE SILICIUM APRES L'IMPLANTATION IONIQUEMUKASHEV BN; NUSUPOV K KH; KUSAINOV ZH A et al.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 1; PP. 117-121; BIBL. 17 REF.Article