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VARIABLE SECTION OPTICAL-FIBER DELIVERY SYSTEM OF HIGH-POWER LASER RADIATION FOR SURGICAL USEBRENCI M; FALCIAI R; MAZZONI M et al.1983; APPLIED OPTICS; ISSN 0003-6935; USA; DA. 1983; VOL. 22; NO 3; PP. 373-375; BIBL. 6 REF.Article

SCHOTTKY DIODES WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGESWILAMOWSKI BM.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 5; PP. 491-493; BIBL. 8 REF.Article

INFLUENCE MUTUELLE DES PHOTOELEMENTS A LARGE BANDE ET A BANDE ETROITE LORS DU FONCTIONNEMENT DES HETEROPHOTOCONVERTISSEURS EN CASCADES GAASN-ALGAASP-ALGAAS-NALLAKHVERDIEV AM; ZADIRANOV YU M; RUMYANTSEV VD et al.1983; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1983; VOL. 17; NO 3; PP. 446-448; BIBL. 5 REF.Article

A GENERAL PROCEDURE OF SOLVING THE LINEAR DELAY SYSTEM VIA BLOCK PULSE FUNCTIONSWEN LIANG CHEN; CHIA HSIANG MENG.1982; COMPUTERS & ELECTRICAL ENGINEERING; ISSN 0045-7906; USA; DA. 1982; VOL. 9; NO 3-4; PP. 153-166; BIBL. 5 REF.Article

NOISE IN NEAR-BALLISTIC N+NN+ AND N+PN+ GALLIUM ARSENIDE SUBMICRON DIODESSCHMIDT RR; BOSMAN G; VAN VLIET CM et al.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 5; PP. 437-444; BIBL. 24 REF.Article

EXTINCTION PAR LE CHAMP DE LA CONDUCTIVITE SUPERFICIELLE ET CONDUCTIVITE PAR SAUTS BIDIMENSIONNELLE DANS INAS PTIMCHENKO IN; SMIRNOVA NN; STUS NM et al.1983; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1983; VOL. 17; NO 3; PP. 422-425; BIBL. 10 REF.Article

HETEROSTRUCTURES DU SYSTEME AL-GA-AS A LOCALISATION DES REGIONS DE PASSAGE DU COURANTALFEROV ZH I; ANDREEV VM; EGOROV BV et al.1977; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 47; NO 8; PP. 1782-1790; BIBL. 14 REF.Article

CARACTERISTIQUES PHOTOELECTRIQUES DES STRUCTURES P-PI -NU -N A BASE DE GAAS(FE)VILISOV AA; GAMAN VI; DIAMANT VM et al.1980; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 4; PP. 625-628; BIBL. 8 REF.Article

MISE EN EVIDENCE D'UNE INSTABILITE DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE DANS DES STRUCTURES MULTIJONCTIONS MATRICIELLES BASEES SUR DU SILICIUMAGAEV YA; BAZAROV BA; ZADDEH VV et al.1978; IZVEST. AKAD. NAUK TURKM. S.S.R., FIZ.-TEKH. KHIM. GEOL. NAUK; SUN; DA. 1978; NO 2; PP. 19-23; ABS. ENG; BIBL. 7 REF.Article

SUR LE COEFFICIENT DE VERROUILLAGE D'UNE STRUCTURE P-N-P-NPALKO EH V; UVAROV AI.1978; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1978; VOL. 28; NO 11; PP. 2391-2395; BIBL. 9 REF.Article

RELAXATION OF THE EXCESS CONDUCTIVITY IN MULTILAYER STRUCTURES WITH P-N JUNCTIONS.AGAREV VN; STAFEYEV VI.1977; RADIO ENGNG ELECTRON. PHYS.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 22; NO 1; PP. 121-127; BIBL. 5 REF.Article

ETUDE DE L'INFLUENCE D'UNE IRRADIATION GAMMA SUR LES STRUCTURES P-N-P-NKORSHUNOV FP; KUL'GACHEV VI; SHUPENEV VA et al.1977; VESCI AKAD. NAVUK B.S.S.R., FIZ.-MAT. NAVUK; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 2; PP. 125-126; BIBL. 2 REF.; RESUME DE L'ARTICLE NO. 1742-76 DEPOSE AU VINITI.Article

SOBRE EL COMPORTAMIENTO TERMOCAPACITIVO DE LAS ESTRUCTURAS P+-P-N+ = SUR LE COMPORTEMENT THERMOCAPACITIF DE LA STRUCTURE P+PN+PARDO D; ORDONEZ V; BAILON L et al.1978; AN. FIS.; ESP; DA. 1978; VOL. 74; NO 3-4; PP. 224-227; ABS. ENG; BIBL. 12 REF.Article

SUR LES PROCESSUS PHYSIQUES DANS LA STRUCTURE PNPN LORS D'UN DECLENCHEMENT COMBINEAYAZYAN R EH; GREKHOV IV; LINIJCHUK IA et al.1978; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1978; VOL. 23; NO 8; PP. 1692-1698; BIBL. 11 REF.Article

CONCENTRATION PROFILING FOR HIGH VOLTAGE P+-N-N+ DIODESSUNDERSINGH VP; GHATOL AA.1983; INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS THEORETICAL & EXPERIMENTAL; ISSN 0020-7217; GBR; DA. 1983; VOL. 54; NO 1; PP. 127-137; BIBL. 11 REF.Article

TRANSPORT DES PORTEURS DANS UNE STRUCTURE P-I-P A HAUT NIVEAU D'INJECTIONPALKO EH V; UVAROV AI.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 12; NO 4; PP. 791-797; BIBL. 4 REF.Article

00 V AND 5000 A PEAK REVERSE BLOCKING DIODE THYRISTOR.CHU CK; JOHNSON JE; BREWSTER JB et al.1977; JAP. J. APPL. PHYS.; JAP.; DA. 1977; VOL. 16; SUPPL. 1; PP. 537-540; BIBL. 6 REF.; (CONF. SOLID STATE DEVICES. 8. PROC.; TOKYO; 1976)Conference Paper

SUR LA VITESSE MAXIMALE D'ENCLENCHEMENT DES STRUCTURES P-N-P-NKUZ'MIN VA; PAVLIK V YA; SHUMAN VB et al.1981; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1981; VOL. 26; NO 6; PP. 1270-1274; BIBL. 10 REF.Article

AMPLIFICATION PAR INJECTION DU PHOTOCOURANT DANS UN SEMI-ISOLANT AVEC JONCTION P-NZALETAEV NB; NIKIFOROVA VP; STAFEEV VI et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 9; PP. 1719-1722; BIBL. 6 REF.Article

CONDITIONS D'AMORCAGE D'UNE STRUCTURE P-N-P-N POUR DIFFERENTES DISTRIBUTIONS DE LA CHARGE INITIALE LE LONG DES BASESAYAZYAN R EH; GORBATYUK AV; PALAMARCHUK AI et al.1978; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 23; NO 5; PP. 1039-1045; BIBL. 4 REF.Article

CALCUL DU PROCESSUS D'ENCLENCHEMENT DANS UN MODELE QUASI LINEAIRE D'UNE STRUCTURE PNPNTOGATOV VV.1977; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 22; NO 5; PP. 1030-1037; BIBL. 6 REF.Article

RESISTANCES A SEMICONDUCTEURS A STRUCTURE P+PP+KASSUR A; PULTORAK J.1977; ARCH. ELEKTROTECH.; POLSKA; DA. 1977; VOL. 26; NO 1; PP. 149-157; ABS. RUSSE ANGL.; BIBL. 7 REF.Article

CARRIER DISTRIBUTION AND LOW-FIELD RESISTANCE IN SHORT N+-N--N+ AND N+-P--N+ STRUCTURESVAN DER ZIEL A; SHUR MS; LEE K et al.1983; IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES; ISSN 0018-9383; USA; DA. 1983; VOL. 30; NO 2; PP. 128-137; BIBL. 14 REF.Article

EVOLUTION OF THE PHOTOCURRENT IN A REGION WITH INVERSION LAYER OF THE PNP TRANSITORSTANCIU GA; POPESCU IM; STOICHITA CM et al.1982; PHYSICA STATUS SOLIDI. (A). APPLIED RESEARCH; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1982; VOL. 71; NO 1; PP. K17-K19; H.T. 1; BIBL. 7 REF.Article

BRUIT DANS LES PHOTODETECTEURS SILICIUM N+PI PPI P+CHENINI BENZOHRA MOKHTARIA.1981; ; FRA; DA. 1981; 57 P.; 30 CM; BIBL. 29 REF.; TH. 3E CYCLE: BRUIT FOND COMPOSANTS ELECTRON./MONTPELLIER 2/1981/558Thesis

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