Etat neutre de l'accepteur profond CuGa dans l'arséniure de galliumAVERKIEV, N. S; VETROV, V. A; GUTKIN, A. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 9, pp 1617-1622, issn 0015-3222Article

Propriétés de photoluminescence des solutions solides In0,53Ga0,47As dopées par le rhéniumANDREEV, V. M; ZIMOGOROVA, N. S; KARLINA, L. B et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 612-615, issn 0015-3222Article

Characteristics of the photoluminescence of manganese-doped In_0.53Ga_0.57As solid solutions under conditions resulting in changes in the state of the InP-InGaAs interfaceZIMOGOROVA, N. S; KARLINA, L. B; NIKITIN, L. P et al.Soviet physics. Semiconductors. 1991, Vol 25, Num 7, pp 756-758, issn 0038-5700Article

Etude par la photoluminescence de la capture des porteurs dans le puits quantique d'une hétérojonction double InGaAsP/InPALFEROV, ZH. I; GORELENOK, A. T; GRUZDOV, V. G et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 11, pp 1983-1988, issn 0015-3222Article

Paramagnétisme de spin des électrons photoexcités dans les cristaux de GaAsMIRLIN, D. N; NIKITIN, L. P; SAPEGA, V. F et al.Fizika tverdogo tela. 1986, Vol 28, Num 12, pp 3731-3732, issn 0367-3294Article

Polarisation circulaire de la photoluminescence chaude et dépolarisation de spin des électrons chauds dans les cristaux d'arséniure de galliumALEKSEEV, M. A; KARLIK, I. YA; MERKULOV, I. A et al.Fizika tverdogo tela. 1984, Vol 26, Num 11, pp 3369-3372, issn 0367-3294Article