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ETUDE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE DU SILICIUM DOPE AU FERABDUGAFUROVA MA; LEBEDEV AA; MAMADALIMOV AT et al.1974; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 8; NO 11; PP. 2170-2173; BIBL. 11 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITE NEGATIVE ET EXTINCTION DU PHOTOCOURANT DANS INSE N LORS DE L'EXCITATION PAR IMPURETESABDINOV A SH; KYAZYM ZADE AG.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 1; PP. 81-84; BIBL. 13 REF.Article

NEGATIVE PHOTOCONDUCTANCE IN THIN INDIUM ANTIMONIDE FILMS.DEMEY G; DE MOLDER M; BURVENICH X et al.1975; SOLID STATE COMMUNIC.; G.B.; DA. 1975; VOL. 17; NO 10; PP. 1201-1203; BIBL. 29 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITE ANORMALEKORSUNSKIJ MI.1972; MOSKVA; NAUKA; DA. 1972; PP. 1-192; BIBL. 3 P.; ED. PAR L.A. RUSAKOV (SOVREM. PROBL. FIZ.)Book

PROPRIETES PHOTOELECTRIQUES DES MONOCRISTAUX DE IN2TE3ANAN'INA DB; BAKUMENKO VL; GRUSHKA GG et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 1; PP. 6-9; BIBL. 8 REF.Article

VARIATION SPECTRALE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE NEGATIVEALEKSANYAN AG.1974; KVANT. ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 1; NO 8; PP. 1693-1699; BIBL. 18 REF.Article

MECANISME DE LA PHOTOCONDUCTIVITE NEGATIVE DE ZNORUVINSKIJ MA.1978; UKRAIN. FIZ. ZH.; UKR; DA. 1978; VOL. 23; NO 12; PP. 2000-2002; ABS. ENG; BIBL. 16 REF.Article

PROPRIETES PHOTOELECTRIQUES DU TELLURURE DE CADMIUM DOPE PAR LE GERMANIUMNIKONYUK ES; PARFENYUK OA; MATLAK VV et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 7; PP. 1271-1278; BIBL. 18 REF.Article

ENHANCED PHOTOCURRENT IN ANTHRACENE CRYSTALS AT 77OK.CORET A; FORT A.1974; SOLID STATE COMMUNIC.; G.B.; DA. 1974; VOL. 15; NO 2; PP. 145-147; ABS. FR.; BIBL. 10 REF.Article

TRANSIENT PHOTOCURRENT IN DIELECTRICS.RUDENKO AI.1977; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 42; NO 1; PP. 1-16; BIBL. 11 REF.Article

TRANSIENT PHOTOCURRENTS IN PYRENE-TCNE SINGLE CRYSTALS. I. CURRENTS CONTROLLED BY SURFACE LAYERS. = PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES DANS DES MONOCRISTAUX DE PYRENE-TCNE. I. COURANTS CONTROLES PAR DES COUCHES DE SURFACEKAINO H.1975; J. PHYS. SOC. JAP.; JAP.; DA. 1975; VOL. 39; NO 3; PP. 708-714; BIBL. 5 REF.Article

NATURE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE DITE "ANORMALE"BAZAKUTSA VA; MOKHOV GD.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 4; PP. 680-684; BIBL. 16 REF.Article

EFFET DES TRANSITIONS OPTIQUES DOUBLES SUR LE SPECTRE DE PHOTOCONDUCTIVITE EXTRINSEQUE DANS LES SEMICONDUCTEURS COMPENSESLEBEDEV AA.1973; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 7; NO 3; PP. 531-537; BIBL. 12 REF.Serial Issue

DIE FELDSTAERKEBEDINGUNGEN FUER DIE MESSUNG DER TRAEGERLEBENSDAUER IN HALBLEITERKRISTALLEN NACH DER LICHTBLITZMETHODE = LES CONDITIONS DE L'I DU CHAMP POUR LA MESURE DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS DANS LES CRISTAUX SEMICONDUCTEURS PAR LA METHODE DES ECLAIRS LUMINEUXBENDA H; DANNHAUSER F; SPENKE E et al.1972; SIEMENS FORSCH.-U. ENTWICKL.-BER.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 1; NO 3; PP. 255-262; ABS. ANGL.; BIBL. 13 REF.Serial Issue

RECOMBINATION PROCESSES IN AMORPHOUS SELENIUM.VIGER C; VAUTIER C.1974; J. NON-CRYST. SOLIDS; NETHERL.; DA. 1974; VOL. 13; NO 3; PP. 363-371; BIBL. 16 REF.Article

EXTINCTION THERMIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOLUMINESCENCE DANS LES SEMICONDUCTEURS A LARGES BANDESLYUBCHENKO AV; SHEJNKMAN MK.1973; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 18; NO 2; PP. 291-299; ABS. ANGL.; BIBL. 21 REF.Serial Issue

AMPLIFICATION PAR LE CHAMP ET THERMIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE NEGATIVE DANS LE GERMANIUM COMPENSE PAR L'ORKLIMKA L; BUMELENE S; KAL'VENAS S et al.1975; LITOV. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 15; NO 4; PP. 595-604; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 19 REF.Article

INFLUENCE DE LA CONDUCTIVITE QUASI SUPERFICIELLE SUR L'EXTINCTION PAR INFRAROUGES ET LE SPECTRE DE PHOTOCONDUCTIVITE DU GERMANIUM COMPENSE PAR LE NICKELKLIMKA L; KAL'VENAS S.1975; LITOV. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 1; PP. 51-56; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article

THERMOELECTRIC AND PHOTOTHERMOELECTRIC EFFECTS IN SEMICONDUCTORS: CDS SINGLE CRYSTALSKWOK HB; BUBE RH.1973; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 44; NO 1; PP. 138-144; BIBL. 18 REF.Serial Issue

INVESTIGATION ON TRAP DISTRIBUTION AND PHOTOELECTRONIC EFFECT DUE TO UV, IR AND VISIBLE LIGHT EXCITATION IN SELF-ACTIVATED ZNS CRYSTALS.ENOMOTO T; ANDERSON WW.1977; J. PHYS. CHEM. SOLIDS; G.B.; DA. 1977; VOL. 38; NO 3; PP. 247-253; BIBL. 18 REF.Article

INVERSEUR DE SIGNE DU PHOTOCOURANT COMMANDE PAR LA POLARISATION DANS LES SEMICONDUCTEURS ANISOTROPESMEDVEDKIN GA; RUD YU V.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 10; PP. 1952-1958; BIBL. 7 REF.Article

ETAT PHOTOELECTRET FORME PAR LA LUMIERE INFRAROUGE QUI PRODUIT L'EXTINCTION DU PHOTOCOURANTKOVAL'SKIJ PN; SHEJNKMAN MK; YATSISHIN VP et al.1976; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 21; NO 4; PP. 569-572; ABS. ANGL.; BIBL. 8 REF.Article

PHOTOSENSITIZATION OF ZNO SINGLE CRYSTALS BY MEANS OF DYES.VODENICHAROVA M; JENSEN GH.1975; J. PHYS. CHEM. SOLIDS; G.B.; DA. 1975; VOL. 36; NO 11; PP. 1241-1247; BIBL. 20 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVE PROPERTIES OF CADMIUM SULPHIDECARTER MA; WOODS J.1973; J. PHYS. D; G.B.; DA. 1973; VOL. 6; NO 3; PP. 337-349; BIBL. 15 REF.Serial Issue

PHOTOCONDUCTIVITE DU CDTE N SEMI-ISOLANT DOPE PAR INMARINENKO SM; SAFIN MA.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 12; NO 4; PP. 701-704; BIBL. 11 REF.Article

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