kw.\*:("POWER DEVICE")
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BREAKDOWN VOLTAGE MODELING IN MESA POWER DEVICESGOURRET JP; PAILLE J.1983; PHYSICA STATUS SOLIDI. (A). APPLIED RESEARCH; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1983; VOL. 75; NO 1; PP. 207-217; ABS. GER; BIBL. 11 REF.Article
UHF-LEISTUNGSTETRODE RS 1034 = METHODE DE PUISSANCE UHF RS 1034HEINZE KD.1978; SIEMENS Z.; DEU; DA. 1978; VOL. 52; NO 4; PP. 278-280; ABS. ENGArticle
NOUVELLE POSSIBILITE DE LA COMMUTATION RAPIDE DE GRANDES PUISSANCES PAR DES DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCEGORBATYUK AV; GREKHOV IV; KOROTKOV SV et al.1982; ZURNAL TEHNICESKOJ FIZIKI; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1982; VOL. 52; NO 7; PP. 1369-1374; BIBL. 12 REF.Article
EMPLOI DE MODELES PARTIELS DANS LE PROCESSUS D'OPTIMISATION QUANTITATIVE DE DISPOSITIFS A TUBE ELECTRONIQUE A VIDE UHF DE PETITE PUISSANCEBOBROVSKIJ YU L.1976; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 19; NO 10; PP. 43-48; BIBL. 11 REF.Article
POWER WIRE-WOUND RESISTORSHALLING J.1983; ELECTRONICS+POWER; ISSN 0013-5127; GBR; DA. 1983; VOL. 29; NO 3; PP. 244-245Article
EINSATZ VON BIPOLAREN HOCHVALT-LEISTUNGSTRANSISTOREN IN DER LEISTUNGSELEKTRONIK = L'UTILISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE ELEVEE EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCEMAENNEL F; SCHREITER W.1982; ELEKTRIE; ISSN 0013-5399; DDR; DA. 1982; VOL. 36; NO 9; PP. 475-479; BIBL. 4 REF.Article
INTEGRATION OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICESWETZEL P.1980; ELECTRON.+POWER; ISSN 0013-5127; GBR; DA. 1980; VOL. 26; NO 9; PP. 712-714; BIBL. 7 REF.Article
LE CALCUL THERMIQUE D'UN RADIATEUR POUR DISPOSITIF SEMICONDUCTEURROJZEN LI; DUL'KIN IN; MAKEDONSKAYA LN et al.1980; ELEKTROTEKHNIKA; ISSN 0013-5860; SUN; DA. 1980; NO 6; PP. 46-48; BIBL. 7 REF.Article
THE SEM IN POWER SEMICONDUCTOR DEVELOPMENTINNES R.1978; ELECTRON. ENGNG; GBR; DA. 1978; VOL. 50; NO 613; PP. 71-77Article
FOCUS ON POWER TRANSISTORS AND THYRISTORS.GROSSMAN M.1977; ELECTRON. DESIGN; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 25; NO 23; PP. 52-60Article
DIGITALE SIMULATION VON ANLAGEN DER LEISTUNGSELEKTRONIK. II. AUWENDUNG DES MEHRPOLANGLYSE-VERFAHRENS UND NACHBILDUNG ELEKTRISCHER VENTILE ALS SCHALTER. = SIMULATION NUMERIQUE DE DISPOSITIFS DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCE. II. APPLICATION DE LA METHODE DE L'ANALYSE MULTIPOLAIRE ET REPRESENTATION DE VALVES ELECTRIQUES SOUS FORME DE COMMUTATEURSARREMANN H.1977; SIEMENS FORSCH.- U. ENTWICKL.-BER.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 6; NO 6; PP. 355-363; BIBL. 16 REF.Article
CALCUL DU REGIME DE TEMPERATURE DES RADIATEURS POUR DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS A BASE PLANE ET AILETTES PERIPHERIQUESPROKOPOV VG; SHERENKOVSKIJ YU V; LEGKIJ VM et al.1977; IZVEST. VYSSH., UCHEBN. ZAVED., ENERGET.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 20; NO 6; PP. 141-146; BIBL. 3 REF.Article
NBH - SILICON FOR HIGH POWER SEMICONDUCTORS. HOMOGENEOUS PHOSPHORUS DOPING BY NEUTRON IRRADIATION.SCHNOLLER M; HAAS EW.1976; COMPON. REP.; GERM.; DA. 1976; VOL. 11; NO 2; PP. 42-45; BIBL. 12 REF.Article
POWER LIMITATIONS IN BARITT DEVICES.KWOK SP; HADDAD GI.1976; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1976; VOL. 19; NO 9; PP. 795-807; BIBL. 19 REF.Article
PREPARATION AND APPLICATION OF NEUTRON TRANSMUTATION DOPED SILICON FOR POWER DEVICE RESEARCH.HILL MJ; VANISEGHEM PM; ZIMMERMANN W et al.1976; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 23; NO 8; PP. 809-813; BIBL. 11 REF.Article
SEMI-CONDUCTEURS MODERNES POUR LA TRACTIONVITINS J; DEBRUYNE P.1982; REV. BROWN BOVERI; ISSN 0302-2544; CHE; DA. 1982; VOL. 69; NO 7-8; PP. 279-283; BIBL. 6 REF.Article
GENERATEUR D'IMPULSIONS TESTS POUR LA MESURE DES PARAMETRES TEMPORELS DES TRANSISTORS DE PUISSANCEFISHER ZA; MIROSHNICHENKO AS; SHEPELENKO SN et al.1980; PRIBORY I TEHNIKA EKSPERIMENTA; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1980; NO 6; PP. 91-93; BIBL. 4 REF.Article
RECHNERGESTEUERTER PRUEFANTOMAT FUER SYSTEMKOMPONENTEN DER LEISTUNGSELEKTRONIK = UN AUTOMATISME D'ESSAI COMMANDES PAR ORDINATEUR POUR LES COMPOSANTS DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCECLAUS A; LAEUGER D.1979; MESSEN U. PRUEFEN; DEU; DA. 1979; NO 3; PP. 122-125; BIBL. 2 REF.Article
A MU P-BASED CONSOLE TAKES RISKS OUT OF HIGH-POWER TESTING- AND PUTS ACCURACY INNGUYEN TV.1979; ELECTRON. DESIGN; USA; DA. 1979; VOL. 27; NO 4; PP. 118-124Article
A FIELD TERMINATED DIODE.HOUSTON DE; KRISHNA S; PICCONE D et al.1976; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 23; NO 8; PP. 905-911; BIBL. 19 REF.Article
ETUDE DU PROCESSUS TRANSITOIRE DE COMMUTATION D'UNE DIODE DE PUISSANCE AVEC STOCKAGE DES CHARGESGREKHOV IV; GEJFMAN EM; KOSTINA LS et al.1983; ZURNAL TEHNICESKOJ FIZIKI; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1983; VOL. 53; NO 4; PP. 726-729; BIBL. 6 REF.Article
HIGH-VOLTAGE, LARGE-AREA PLANAR DEVICESSELIM FA.1981; ELECTRON DEVICE LETT.; ISSN 0193-8576; USA; DA. 1981; VOL. 2; NO 9; PP. 219-221; BIBL. 7 REF.Article
AKTUELLE PROBLEME DER LEISTUNGSELEKTRONIK = PROBLEMES ACTUELS DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCECONRAD H.1979; ELEKTRIE; DDR; DA. 1979; VOL. 33; NO 3; PP. 121-125; BIBL. 23 REF.Article
CURRENT AND FUTURE DEVELOPMENT OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES.MANSON DM.1978; NEW ELECTRON.; G.B.; DA. 1978; VOL. 11; NO 7; PP. 82-91 (3P.)Article
SIEDEKUEHLUNG FUER LEISTUNGSHALBLEITER. = LE REFROIDISSEMENT DES DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE PAR EBULLITIONHEINEMEYER P; LUKANZ W; STEINWEG M et al.1978; WISSENSCH. BER. A.E.G.-TELEFUNKEN; DTSCH.; DA. 1978; VOL. 51; NO 1; PP. 30-39; BIBL. 20 REF.Article