A NEW HIGH-POWER VOLTAGE-CONTROLLED DIFFERENTIAL NEGATIVE RESISTANCE DEVICE - THE LAMBDA BIPOLAR POWER TRANSISTORCHING YUAN WU; CHING SHUNG LEE.1983; ELECTRON DEVICE LETTERS; ISSN 0193-8576; USA; DA. 1983; VOL. 4; NO 4; PP. 78-80; BIBL. 3 REF.Article

TORTURE CHAMBER DESTROYS TRANSISTORS FASTERMILLER K.1979; EVAL. ENGNG; USA; DA. 1979; VOL. 18; NO 3; PP. 62-63Article

KUEHLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN. II. = LE REFROIDISSEMENT DES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEURS. II1977; ELEKTRONIK; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 26; NO 12; PP. 73-74; BIBL. 3 REF.Article

INVERSER BETRIEB PARALLELGESCHALTETER TRANSISTOREN = REGIME DE FONCTIONNEMENT DE TRANSISTORS MONTES EN PARALLELE AVEC INTERVERSION DES ROLES DE L'EMETTEUR ET DU COLLECTEURORTLER G.1981; FREQUENZ; ISSN 0016-1136; DEU; DA. 1981; VOL. 35; NO 8; PP. 215-219; ABS. ENG; BIBL. 2 REF.Article

MODELLIERUNG VON BIPOLARTRANSISTOREN ZUR DIGITALEN SIMULATION LEISTUNGSELEKTRONISCHER SCHALTUNGEN = MODELES DE BIPOLAIRE TRANSISTORS POUR LA SIMULATION DIGITALE DES CIRCUITS A ELECTRONIQUE DE PUISSANCELEHNERT K.1981; WISSENSCHAFT. 2. TECH. UNIV. DRESD.; ISSN 0043-6925; DDR; DA. 1981; VOL. 30; NO 6; PP. 153-160; BIBL. 5 REF.Article

LOOKING AFTER YOUR POWER TRANSISTORS.WAGGITT RC.1978; NEW ELECTRON.; G.B.; DA. 1978; VOL. 11; NO 13; PP. 38-46Article

SICHERER ARBEITSBEREICH (SOAR) FUER LEISTUNGSTRANSISTOREN = LE DOMAINE DE SECURITE POUR LE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS DE PUISSANCEKUNERT M; SCHROEDER R.1978; RADIO FERNSEHEN ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 27; NO 2; PP. 75-79; BIBL. 4 REF.Article

DV/DT BREAKDOWN IN POWER MOSFET'SKUO DS; HU C; CHI MH et al.1983; ELECTRON DEVICE LETTERS; ISSN 0193-8576; USA; DA. 1983; VOL. 4; NO 1; PP. 1-2; BIBL. 4 REF.Article

DIFFUSIVITY AT HIGH INJECTION IN EPITAXIAL POWER TRANSISTORS.CONTI M; CORDA G.1977; SOLID. STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 20; NO 7; PP. 563-566; BIBL. 23 REF.Article

HEXFET: UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR LES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE1979; COMPOSANTS MEC. ELECTR. ELECTRON.; FRA; DA. 1979; NO 107; PP. 117-120Article

EBTS FEATURE WIDE SOAS AND EXTENDED RESPONSE.FUJIE A; YODA K.1977; J. ELECTRON, ENGNG; JAP.; DA. 1977; NO 132; PP. 51-53Article

HOLOGRAPHIC OBSERVATION IN HEADER USED IN PLASTIC PACKAGE FOR HIGH OUTPUT POWER TRANSISTOR.NISHIDA N; SUZUKI H; KOSUGE K et al.1977; N.E.C. RES. DEVELOP.; JAP.; DA. 1977; NO 46; PP. 33-41; BIBL. 2 REF.Article

A HIGH POWER MOS-FET WITH A VERTICAL DRAIN ELECTRODE AND MESHED GATE STRUCTURE.YOSHIDA I; KUBO M; OCHI S et al.1976; JAP. J. APPL. PHYS.; JAP.; DA. 1976; VOL. 15; SUPPL. 1; PP. 179-183; BIBL. 3 REF.; (CONF. SOLID STATE DEVICES. 7. PROC.; TOKYO; 1975)Conference Paper

100A-900V AND 200A-900V GIANT TRANSISTORTAKEUCHI M; MASE K; SAKURAI H et al.1982; TOSHIBA REV., INT. ED.; ISSN 0303-416X; JPN; DA. 1982; NO 137; PP. 32-34; BIBL. 2 REF.Article

LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE EN ARSENIURE DE GALLIUM: CONCEPTION ET TECHNOLOGIEBAUDET P.1980; ACTA ELECTRON; ISSN 0001-558X; FRA; DA. 1980; VOL. 23; NO 2; PP. 119-125; ABS. GER/ENG; BIBL. 9 REF.Article

VERIFYING COLLECTOR VOLTAGE RATINGSROEHR B.1979; NEW ELECTRON.; GBR; DA. 1979; VOL. 12; NO 2; PP. 36-40; (3 P.)Article

ETABLISSEMENT DE L'ETAT STATIONNAIRE LORS DU BRANCHEMENT D'UN TRANSISTOR HT DE PUISSANCEGRIGOR'EV BI; RUDSKIJ VA; TOGATOV VV et al.1983; RADIOTEHNIKA I ELEKTRONIKA; ISSN 508322; SUN; DA. 1983; VOL. 28; NO 6; PP. 1176-1181; BIBL. 7 REF.Article

A LABORATORY EXPERIMENT ON THE THERMAL BEHAVIOUR OF A POWER TRANSISTORHANRAHAN HE.1980; INTERNATION. J. ELECTR. ENGNG EDUC.; GBR; DA. 1980; VOL. 17; NO 1; PP. 59-66; ABS. FRE/GER/SPA; BIBL. 3 REF.Article

FIABILITE D'UN SYSTEME EN ELECTRONIQUE DES COURANTS FORTS A TRANSISTORS. RAPPORT FINAL III-IV.1977; CNET-769B265; FR.; DA. 1977; PP. 1-29Report

SECOND BREAKDOWN OF VERTICAL POWER MOSFET'SCHENMING HU; MIN HWA CHI.1982; IEEE TRANS. ELECTRON DEVICES; ISSN 0018-9383; USA; DA. 1982; VOL. 29; NO 8; PP. 1287-1293; BIBL. 13 REF.Article

LEISTUNGS-MOSFETS = TRANSISTORS MOS DE PUISSANCEJUNGNICKEL H.1982; RADIO FERNSEHEN ELEKTRONIK; ISSN 0033-7900; DDR; DA. 1982; VOL. 31; NO 10; PP. 655-658; BIBL. 11 REF.Article

OPTIMUM LOAD ADMITTANCE FOR A MICROWAVE POWER TRANSISTORTUCKER RS.1980; PROC. I.E.E.E.; USA; DA. 1980; VOL. 68; NO 3; PP. 410-411; BIBL. 5 REF.Article

LES TRANSISTORS DE PUISSANCE AUJOURD'HUI ET DEMAINWILSON I.1980; INTER. ELECTRON.; ISSN 0020-5036; FRA; DA. 1980; NO 315; PP. 34-36Article

GENERATEURS D'IMPULSIONS REGENERATIFS A TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEUR HAUTE FREQUENCE, DE PUISSANCED'YAKONOV VP.1980; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1980; NO 4; PP. 99-101; BIBL. 4 REF.Article

ON-RESISTANCE OF V-V.M.O.S. POWER TRANSISTORSLANE WA; SALAMA CAT; DMITREVSKY S et al.1979; ELECTRON. LETTERS; GBR; DA. 1979; VOL. 15; NO 19; PP. 601-602; BIBL. 3 REF.Article