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A NEW HIGH-POWER VOLTAGE-CONTROLLED DIFFERENTIAL NEGATIVE RESISTANCE DEVICE - THE LAMBDA BIPOLAR POWER TRANSISTORCHING YUAN WU; CHING SHUNG LEE.1983; ELECTRON DEVICE LETTERS; ISSN 0193-8576; USA; DA. 1983; VOL. 4; NO 4; PP. 78-80; BIBL. 3 REF.Article

A NEW HIGH EFFICIENCY TURN-OFF SWITCHING AID FOR POWER TRANSISTORS IN SWITCHING REGULATORSEWING GD; ISBELL RM.1982; IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS; ISSN 0018-9200; USA; DA. 1982; VOL. 17; NO 6; PP. 1210-1213; BIBL. 3 REF.Article

EVOLUTION DES CIRCUITS D'AIDE A LA COMMUTATION DES TRANSISTORS DE PUISSANCEARCHES JP; FOCH H.1979; ELECTRON. APPL. INDUSTR.; FRA; DA. 1979; NO 276; PP. 63-69; BIBL. 15 REF.Article

TORTURE CHAMBER DESTROYS TRANSISTORS FASTERMILLER K.1979; EVAL. ENGNG; USA; DA. 1979; VOL. 18; NO 3; PP. 62-63Article

KUEHLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN. II. = LE REFROIDISSEMENT DES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEURS. II1977; ELEKTRONIK; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 26; NO 12; PP. 73-74; BIBL. 3 REF.Article

INVERSER BETRIEB PARALLELGESCHALTETER TRANSISTOREN = REGIME DE FONCTIONNEMENT DE TRANSISTORS MONTES EN PARALLELE AVEC INTERVERSION DES ROLES DE L'EMETTEUR ET DU COLLECTEURORTLER G.1981; FREQUENZ; ISSN 0016-1136; DEU; DA. 1981; VOL. 35; NO 8; PP. 215-219; ABS. ENG; BIBL. 2 REF.Article

MODELLIERUNG VON BIPOLARTRANSISTOREN ZUR DIGITALEN SIMULATION LEISTUNGSELEKTRONISCHER SCHALTUNGEN = MODELES DE BIPOLAIRE TRANSISTORS POUR LA SIMULATION DIGITALE DES CIRCUITS A ELECTRONIQUE DE PUISSANCELEHNERT K.1981; WISSENSCHAFT. 2. TECH. UNIV. DRESD.; ISSN 0043-6925; DDR; DA. 1981; VOL. 30; NO 6; PP. 153-160; BIBL. 5 REF.Article

LOOKING AFTER YOUR POWER TRANSISTORS.WAGGITT RC.1978; NEW ELECTRON.; G.B.; DA. 1978; VOL. 11; NO 13; PP. 38-46Article

SICHERER ARBEITSBEREICH (SOAR) FUER LEISTUNGSTRANSISTOREN = LE DOMAINE DE SECURITE POUR LE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS DE PUISSANCEKUNERT M; SCHROEDER R.1978; RADIO FERNSEHEN ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 27; NO 2; PP. 75-79; BIBL. 4 REF.Article

DV/DT BREAKDOWN IN POWER MOSFET'SKUO DS; HU C; CHI MH et al.1983; ELECTRON DEVICE LETTERS; ISSN 0193-8576; USA; DA. 1983; VOL. 4; NO 1; PP. 1-2; BIBL. 4 REF.Article

TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE. LES DIFFERENTES AIRES DE SECURITEREIDA JM.1980; TOUTE ELECTRON.; FRA; DA. 1980; NO 450; PP. 41-45; BIBL. 1 REF.Article

GENERATEURS D'IMPULSIONS RECTANGULAIRES DE LA NANOSECONDE A TRANSISTORS METAL-DIELECTRIQUE - SEMICONDUCTEUR A AVALANCHE ET DE PUISSANCED'YAKONOV VP.1980; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1980; NO 4; PP. 101-102; BIBL. 3 REF.Article

IL MERCATO DEI MOSFET DI POTENZA = LE MARCHE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCEDANCE B.1980; ANTENNA; ITA; DA. 1980; VOL. 52; NO 11; PP. 420-426; 6 P.; BIBL. 8 REF.Article

THERMISCHE KENNWERTE VON TRANSISTOREN = LES CARACTERISTIQUES THERMIQUES DES TRANSISTORSZIMMERMANN R.1980; RADIO FERNS. ELEKTRON.; ISSN 0033-7900; DDR; DA. 1980; VOL. 29; NO 11; PP. 692-695Article

A NEW BIPOLAR TRANSISTOR-GATKONDO H; YUKIMOTO Y.1980; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; USA; DA. 1980; VOL. 27; NO 2; PP. 373-379; BIBL. 13 REF.Article

HIGH-VOLTAGE POWER SWITCHING TRANSISTORSJARL R; VERBIEST N.1979; NEW ELECTRON.; GBR; DA. 1979; VOL. 12; NO 8; PP. 33-37Article

HIGH-CURRENT V.M.O.S. SWITCHING1978; NEW ELECTRON.; GBR; DA. 1978; VOL. 11; NO 22; PP. 26-28; (2 P.)Article

DEUXIEME SEMINAIRE SESCOSEM SUR LES TRANSISTORS DE PUISSANCE. LE TRANSISTOR DE PUISSANCE DEVIENT INCASSABLE1978; INTER ELECTRON.; FRA; DA. 1978; NO 271; PP. 32-35Article

TWO-DIMENSIONAL ANALYSIS OF HIGH-VOLTAGE POWER TRANSISTORS.GAUR SP.1977; I.B.M. J. RES. DEVELOP.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 21; NO 4; PP. 306-314; BIBL. 30 REF.Article

ANOMALOUS CURRENT DISTRIBUTIONS IN POWER TRANSISTORS.BOSCH G.1977; SOLID. STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 20; NO 7; PP. 635-640; BIBL. 4 REF.Article

DIFFUSIVITY AT HIGH INJECTION IN EPITAXIAL POWER TRANSISTORS.CONTI M; CORDA G.1977; SOLID. STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 20; NO 7; PP. 563-566; BIBL. 23 REF.Article

RELIABILITY OF POWER GAAS FET'S - AU GATES AND AL-AU LINKED GATESCOHEN ED; MACPHERSON AC; CHRISTOU A et al.1981; IEEE TRANS. MICROWAVE THEORY TECH.; ISSN 0018-9480; USA; DA. 1981; VOL. 29; NO 7; PP. 636-642; BIBL. 12 REF.Article

NEUE TECHNIKEN BEI HABBLEITERN FUER DIE NACHRICHTENTECHNIK = NOUVELLES TECHNIQUES DANS LE CAS DES SEMICONDUCTEURS POUR LA TECHNIQUE DES TELECOMMUNICATIONSPLATH D.1978; NACHR. ELEKTRON.; DEU; DA. 1978; VOL. 32; NO 10; PP. 326-328; ABS. ENGArticle

L'OPTIMISATION DES SURFACES DES CRISTAUX DES TRANSISTORS DE PUISSANCE MULTIEMETTEURSAVAK'YANTS GM; PETROSYAN EH A; MELKONYAN VV et al.1978; AKAD. NAUK ARM. S.S.R., DOKL.; SUN; DA. 1978; VOL. 66; NO 2; PP. 91-97; ABS. ARM; BIBL. 3 REF.Article

HEXFET: UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR LES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE1979; COMPOSANTS MEC. ELECTR. ELECTRON.; FRA; DA. 1979; NO 107; PP. 117-120Article

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