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SURFACE PHOTOGALVANIC EFFECT IN METALSMAGARILL LI; EHNTIN MV.1981; ZH. EKSP. TEOR. FIZ.; SUN; DA. 1981-09; VOL. 81; NO 3; PP. 1001-1010; BIBL. 5 REF.Article

PROPRIETES PHOTOELECTRIQUES DES HETEROJONCTIONS ZNP2(D48)-ZNP2(C2H5)RADAUTSAN SI; SYRBU NN; STAMOV IG et al.1977; DOKL. AKAD. NAUK S.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 236; NO 1; PP. 72-74; BIBL. 6 REF.Article

THERMALLY STIMULATED CURRENT REVERSALS IN ZNO PHOTOELECTRETS.PILLAI PKC; RABINDERNATH; NAIR PK et al.1976; PHYS. LETTERS, A; NETHERL.; DA. 1976; VOL. 58; NO 7; PP. 474-476; BIBL. 15 REF.Article

ETUDE DE L'EFFET PHOTOVOLTAIQUE ANORMAL DES COUCHES DE GAASARIFOV UA; ABDULLAEV N; ARIFDZHANOVA MS et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 1; PP. 25-30; BIBL. 20 REF.Article

TRANSIENT INJECTION CURRENTS IN INSULATORS WITH PRE-EXISTING TRAPPED SPACE CHARGE.SONNONSTINE TJ; PERLMAN MM.1975; PHYS. REV., B; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 12; NO 10; PP. 4434-4442; BIBL. 7 REF.Article

CINETIQUE D'ACCUMULATION DES PHOTOPORTEURS ET VARIATION DE PHASE DU COURANT ALTERNATIF DANS LES STRUCTURES DU TYPE SEMICONDUCTEUR-DIELECTRIQUEKOVTONYUK NF; MOROZOV VA; FADIN VG et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 2; PP. 201-203; BIBL. 5 REF.Article

EFFET PHOTOMAGNETOELECTRIQUE DANS LE SILICIUM POUR DIVERS POTENTIELS DE SURFACEZUEV VA; POPOV VG.1975; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 20; NO 4; PP. 558-565; ABS. ANGL.; BIBL. 17 REF.Article

EXTRINSIC PHOTOCONDUCTIVITY OF N-ETHYLCARBAZOLE SINGLE CRYSTALS.KATO K; YOKOYAMA M; MIKAWA H et al.1974; BULL. CHEM. SOC. JAP.; JAP.; DA. 1974; VOL. 47; NO 7; PP. 1795-1796; BIBL. 10 REF.Article

REINVESTIGATION OF PHOTOVOLTAIC CURRENT ANOMALY IN NAPHTHACENE.FANG PH.1974; JAP. J. APPL. PHYS.; JAP.; DA. 1974; VOL. 13; NO 8; PP. 1232-1234; BIBL. 7 REF.Article

ETUDE DES SPECTRES DU PHOTO-COURANT D'UN RECEPTEUR-EMETTEUR OPTIQUE A HETERODYNEKHAJKIN N SH; YURIST BV.1974; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 19; NO 7; PP. 1396-1405; BIBL. 13 REF.Article

MESURE DE PHOTOCOURANT INDUIT PAR LASER DANS LES MATERIAUX, A L'AIDE D'UN CHAMP ELECTRIQUE PULSE SYNCHRONISEMAETA S; SAKAGUCHI K.1974; OYO BUTURI; JAP.; DA. 1974; VOL. 43; NO 10; PP. 1067-1073; BIBL. 16 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITE D'UN SEMICONDUCTEUR COMPENSECHUSOV II.1974; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 8; NO 10; PP. 1907-1912; BIBL. 12 REF.Article

VARIATIONS DE POLARISATION DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE A UN ET DEUX PHOTONS A LA LIMITE METAL-ELECTROLYTEBABENKO SD; BENDERSKIJ VA; KRIVENKO AG et al.1974; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 16; NO 5; PP. 1337-1341; BIBL. 11 REF.Article

ZUR DEUTUNG DES BECQUEREL-EFFEKTS AN P-LEITENDEM CADMIUMSULFID. = INTERPRETATION DE L'EFFET BECQUEREL DANS CDSPMILICKA L.1974; ACTA FAC. RERUM NAT. UNIV. COMENIANAE, CHIM.; TCHECOSL.; DA. 1974; NO 19; PP. 117-125; BIBL. 12 REF.Article

PHOTOEFFECTS IN POTASSIUM TANTALATEPETERSEN PE.1973; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 44; NO 3; PP. 1240-1246; BIBL. 15 REF.Serial Issue

ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF TE IN A HIGHLY-EXCITED STATEMIURA Y; HORIE C.1972; J. PHYS. SOC. JAP.; JAP.; DA. 1972; VOL. 33; NO 6; PP. 1522-1532; BIBL. 14 REF.Serial Issue

PHOTOGALVANIC EFFECTS INVESTIGATION IN GALLIUM ARSENIDEALPEROVICH VL; BELINICHER VI; NOVIKOV VN et al.1982; FERROELECTRICS; ISSN 0015-0193; USA; DA. 1982; VOL. 45; NO 1-2; PP. 1-12; BIBL. 29 REF.Article

EFFET PHOTOELECTRIQUE DANS LES MAGNETO-DIODESDAUDERIS VA; STRUOGYUS YU LS.1981; Z. TEH. FIZ.; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1981; VOL. 51; NO 7; PP. 1563-1564; BIBL. 1 REF.Article

CARACTERISTIQUES PHOTOELECTRIQUES DES STRUCTURES P-PI -NU -N A BASE DE GAAS(FE)VILISOV AA; GAMAN VI; DIAMANT VM et al.1980; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 4; PP. 625-628; BIBL. 8 REF.Article

EFFET PHOTO-ELECTRIQUE DANS LES CELLULES SANDWICHES MULTICOUCHES RENFERMANT DE LA PHTALOCYANINEILATOVSKIJ VA; DMITRIEV IB; KOMISSAROV GG et al.1980; Z. FIZ. HIM.; ISSN 0044-4537; SUN; DA. 1980; VOL. 54; NO 5; PP. 1219-1222; BIBL. 4 REF.Article

MISE EN EVIDENCE D'UNE INSTABILITE DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE DANS DES STRUCTURES MULTIJONCTIONS MATRICIELLES BASEES SUR DU SILICIUMAGAEV YA; BAZAROV BA; ZADDEH VV et al.1978; IZVEST. AKAD. NAUK TURKM. S.S.R., FIZ.-TEKH. KHIM. GEOL. NAUK; SUN; DA. 1978; NO 2; PP. 19-23; ABS. ENG; BIBL. 7 REF.Article

PHOTOELECTROMAGNETIC EFFECT IN SEMICONDUCTING CDSE SINGLE CRYSTALS.MORA S; ROMEO N.1976; LETTERE NUOVO CIMENTO; ITAL.; DA. 1976; VOL. 15; NO 16; PP. 599-602; BIBL. DISSEM.Article

PHOTOSENSIBILITE D'UN SEMICONDUCTEUR EN REGIME DE COURANTS LIMITES PAR LA CHARGE D'ESPACE)ZYUGANOV AN; MIKHELASHVILI VM; PIS'MENNYJ YU G et al.1976; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 22; PP. 64-69; BIBL. 5 REF.Article

LOCALISATION DES CENTRES PHOTOSENSIBLES DANS LES COUCHES MINCES DE PBSEBYKOVA TT; DAVYDOV MS; KOSNYREV VS et al.1975; VEST. LENINGRAD. UNIV.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 22; PP. 62-66; ABS. ANGL.; BIBL. 4 REF.Article

STRUCTURES PERIODIQUES RESULTANT D'UN EFFET OPTOELECTRIQUEVINNIKOV A YA; GUREVICH L EH.1975; ZH. EKSPER. TEOR. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 69; NO 1; PP. 23-31; ABS. ANGL.; BIBL. 7 REF.Article

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