Negative photoconductivity in selenium single crystalsISAEV, A. I; GUSEINOV, T. M; MEKHTIEVA, S. D et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 82, Num 1, pp K87-K90, issn 0031-8965Article

Photoconductivity decay kinetics in silver bromide photographic filmsDERI, R. J; SPOONHOWER, J. P; HAMILTON, J. F et al.Journal of applied physics. 1985, Vol 57, Num 6, pp 1968-1970, issn 0021-8979Article

NEGATIVE PHOTOCONDUCTANCE IN THIN INDIUM ANTIMONIDE FILMS.DEMEY G; DE MOLDER M; BURVENICH X et al.1975; SOLID STATE COMMUNIC.; G.B.; DA. 1975; VOL. 17; NO 10; PP. 1201-1203; BIBL. 29 REF.Article

AMPLIFICATION PAR LE CHAMP ET THERMIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE NEGATIVE DANS LE GERMANIUM COMPENSE PAR L'ORKLIMKA L; BUMELENE S; KAL'VENAS S et al.1975; LITOV. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 15; NO 4; PP. 595-604; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 19 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITE ANORMALEKORSUNSKIJ MI.1972; MOSKVA; NAUKA; DA. 1972; PP. 1-192; BIBL. 3 P.; ED. PAR L.A. RUSAKOV (SOVREM. PROBL. FIZ.)Book

Spin-dependent negative photoconductivity in siliconBAGRAEV, N. T; MASHKOV, V. A; POLOSKIN, D. S et al.Solid state communications. 1985, Vol 55, Num 9, pp 791-793, issn 0038-1098Article

The decay rate of transient photocurrents in semiconductorsHALPERN, V.Philosophical magazine. B. Physics of condensed matter. Electronic, optical and magnetic properties. 1985, Vol 52, Num 4, pp L75-L79, issn 0141-8637Article

PROPRIETES PHOTOELECTRIQUES DES MONOCRISTAUX DE IN₂TE₃ANAN'INA DB; BAKUMENKO VL; GRUSHKA GG et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 1; PP. 6-9; BIBL. 8 REF.Article

VARIATION SPECTRALE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE NEGATIVEALEKSANYAN AG.1974; KVANT. ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 1; NO 8; PP. 1693-1699; BIBL. 18 REF.Article

TRANSIENT PHOTOCURRENT IN DIELECTRICS.RUDENKO AI.1977; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 42; NO 1; PP. 1-16; BIBL. 11 REF.Article

TRANSIENT PHOTOCURRENTS IN PYRENE-TCNE SINGLE CRYSTALS. I. CURRENTS CONTROLLED BY SURFACE LAYERS. = PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES DANS DES MONOCRISTAUX DE PYRENE-TCNE. I. COURANTS CONTROLES PAR DES COUCHES DE SURFACEKAINO H.1975; J. PHYS. SOC. JAP.; JAP.; DA. 1975; VOL. 39; NO 3; PP. 708-714; BIBL. 5 REF.Article

NATURE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE DITE "ANORMALE"BAZAKUTSA VA; MOKHOV GD.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 4; PP. 680-684; BIBL. 16 REF.Article

EFFET DES TRANSITIONS OPTIQUES DOUBLES SUR LE SPECTRE DE PHOTOCONDUCTIVITE EXTRINSEQUE DANS LES SEMICONDUCTEURS COMPENSESLEBEDEV AA.1973; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 7; NO 3; PP. 531-537; BIBL. 12 REF.Serial Issue

DIE FELDSTAERKEBEDINGUNGEN FUER DIE MESSUNG DER TRAEGERLEBENSDAUER IN HALBLEITERKRISTALLEN NACH DER LICHTBLITZMETHODE = LES CONDITIONS DE L'I DU CHAMP POUR LA MESURE DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS DANS LES CRISTAUX SEMICONDUCTEURS PAR LA METHODE DES ECLAIRS LUMINEUXBENDA H; DANNHAUSER F; SPENKE E et al.1972; SIEMENS FORSCH.-U. ENTWICKL.-BER.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 1; NO 3; PP. 255-262; ABS. ANGL.; BIBL. 13 REF.Serial Issue

RECOMBINATION PROCESSES IN AMORPHOUS SELENIUM.VIGER C; VAUTIER C.1974; J. NON-CRYST. SOLIDS; NETHERL.; DA. 1974; VOL. 13; NO 3; PP. 363-371; BIBL. 16 REF.Article

EXTINCTION THERMIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOLUMINESCENCE DANS LES SEMICONDUCTEURS A LARGES BANDESLYUBCHENKO AV; SHEJNKMAN MK.1973; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 18; NO 2; PP. 291-299; ABS. ANGL.; BIBL. 21 REF.Serial Issue

INFLUENCE DE LA CONDUCTIVITE QUASI SUPERFICIELLE SUR L'EXTINCTION PAR INFRAROUGES ET LE SPECTRE DE PHOTOCONDUCTIVITE DU GERMANIUM COMPENSE PAR LE NICKELKLIMKA L; KAL'VENAS S.1975; LITOV. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 1; PP. 51-56; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article

THERMOELECTRIC AND PHOTOTHERMOELECTRIC EFFECTS IN SEMICONDUCTORS: CDS SINGLE CRYSTALSKWOK HB; BUBE RH.1973; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 44; NO 1; PP. 138-144; BIBL. 18 REF.Serial Issue

INVESTIGATION ON TRAP DISTRIBUTION AND PHOTOELECTRONIC EFFECT DUE TO UV, IR AND VISIBLE LIGHT EXCITATION IN SELF-ACTIVATED ZNS CRYSTALS.ENOMOTO T; ANDERSON WW.1977; J. PHYS. CHEM. SOLIDS; G.B.; DA. 1977; VOL. 38; NO 3; PP. 247-253; BIBL. 18 REF.Article

INVERSEUR DE SIGNE DU PHOTOCOURANT COMMANDE PAR LA POLARISATION DANS LES SEMICONDUCTEURS ANISOTROPESMEDVEDKIN GA; RUD YU V.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 10; PP. 1952-1958; BIBL. 7 REF.Article

ETAT PHOTOELECTRET FORME PAR LA LUMIERE INFRAROUGE QUI PRODUIT L'EXTINCTION DU PHOTOCOURANTKOVAL'SKIJ PN; SHEJNKMAN MK; YATSISHIN VP et al.1976; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 21; NO 4; PP. 569-572; ABS. ANGL.; BIBL. 8 REF.Article

PHOTOSENSITIZATION OF ZNO SINGLE CRYSTALS BY MEANS OF DYES.VODENICHAROVA M; JENSEN GH.1975; J. PHYS. CHEM. SOLIDS; G.B.; DA. 1975; VOL. 36; NO 11; PP. 1241-1247; BIBL. 20 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVE PROPERTIES OF CADMIUM SULPHIDECARTER MA; WOODS J.1973; J. PHYS. D; G.B.; DA. 1973; VOL. 6; NO 3; PP. 337-349; BIBL. 15 REF.Serial Issue

Photocarrier dynamics in a-Si:H: effects of bias illuminationCONRAD, K. A; PANDYA, R; SCHIFF, E. A et al.Physical review letters. 1985, Vol 54, Num 3, issn 0031-9007, 247Article

Dérivé dans le champ électrique de l'impulsion des porteurs de charge créés dans un semiconducteur par une impulsion optiqueEVSEEV, B. S; KOLESHKO, V. M.Vesci Akademii navuk BSSR. Seryâ fizika-matematyčnyh navuk. 1984, Num 4, pp 72-77, issn 0002-3574Article