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kw.\*:("RECOMBINAISON PORTEUR CHARGE")

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SUR UNE POSSIBILITE D'EVALUER LES PROPRIETES DE RECOMBINAISON DES CONTACTS ET LEUR EFFET SUR LA CARACTERISTIQUE DE DIODES A SEMICONDUCTEURSGEJFMAN EM; GREKHOV IV; KOSTINA LS et al.1982; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1982; VOL. 27; NO 2; PP. 386-391; BIBL. 6 REF.Article

INTENSITY-MODULATED PHOTOCONDUCTIVITY. THE GENERAL CASE.TOKARSKY RW.1975; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 46; NO 10; PP. 4564-4569; BIBL. 22 REF.Article

TRANSFERT D'EXCITATION DE PORTEURS DE CHARGE HORS D'EQUILIBRE DU AUX PHOTONS, DANS LES SEMICONDUCTEURSEPIFANOV MS; BOBROVA EA; GALKIN GN et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 8; PP. 1529-1533; BIBL. 6 REF.Article

ELECTROLUMINESCENCE AT THE N-TIO2/ELECTROLYTE INTERFACEMORISAKI H; YAZAWA K.1978; APPL. PHYS. LETTERS; USA; DA. 1978; VOL. 33; NO 12; PP. 1013-1015; BIBL. 8 REF.Article

PHOTOCONDUCTIVITE DE GAAS MONOCRISTALLIN A FLUCTUATIONS IMPORTANTES DU POTENTIEL ELECTROSTATIQUE DES IMPURETESMESSERER MA; OMEL'YANOVSKIJ EH M; PERVOVA L YA et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 5; PP. 851-858; BIBL. 8 REF.Article

PHENOMENE D'AMPLIFICATION DU SON PAR RECOMBINAISON DANS LES SEMICONDUCTEURSTIMAN BL.1973; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 7; NO 3; PP. 463-470; BIBL. 5 REF.Serial Issue

CINETIQUE DE RECOMBINAISON CONTROLEE SIMULTANEMENT PAR LA DIFFUSION ET L'EFFET TUNNEL. CAS STATIONNAIREANTONOV ROMANOVSKIJ VV.1976; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 18; NO 2; PP. 484-488; BIBL. 5 REF.Article

RECOMBINATION INSTABILITIES IN SEMICONDUCTORS DOPED WITH DEEP TWO-LEVEL TRAPSANTOGNETTI P; CHIABRERA A; RIDELLA S et al.1972; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 43; NO 11; PP. 4676-4680; BIBL. 17 REF.Serial Issue

TRANSPORT DES PORTEURS DANS UNE STRUCTURE P-I-P A HAUT NIVEAU D'INJECTIONPALKO EH V; UVAROV AI.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 12; NO 4; PP. 791-797; BIBL. 4 REF.Article

THE INFLUENCE OF SCREENING EFFECTS ON THE AUGER RECOMBINATION IN SEMICONDUCTORS.HAUG A; EKARDT W.1975; SOLID STATE COMMUNIC.; G.B.; DA. 1975; VOL. 17; NO 3; PP. 267-268; BIBL. 12 REF.Article

IMPURETES DANS LE GERMANIUM, LE SILICIUM ET L'ARSENIURE DE GALLIUM (CARACTERISTIQUES DE RECOMBINAISON)GLINCHUK KD.1972; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1972; NO 7; PP. 51-60; BIBL. 2 P. 1/2Serial Issue

RECOMBINATION PROPERTIES OF A DIFFUSED PN JUNCTION DETERMINED BY SPECTRAL RESPONSE MEASUREMENTSCONTI M; FERRARI P; MODELLI A et al.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 9; PP. 879-881; BIBL. 7 REF.Article

RECOMBINAISON RESONNANTE DANS LE CHAMP MAGNETIQUE DES TROUS LEGERS PHOTOEXCITES DANS LE GERMANIUMGANTMAKHER VF; ZVEREV VN.1980; Z. EKSP. TEOR. FIZ.; ISSN 0044-4510; SUN; DA. 1980; VOL. 79; NO 6; PP. 2291-2301; ABS. ENG; BIBL. 15 REF.Article

CALCUL DE LA CINETIQUE DE DECLIN DE LA PHOTOCONDUCTIVITE EN PRESENCE DE BARRIERES DE RECOMBINAISON COLLECTIVESDOBREGO VP.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 11; PP. 2079-2083; BIBL. 5 REF.Article

RECOMBINAISON DES PORTEURS HORS D'EQUILIBRE ET PHOTOCONDUCTIVITE DES SEMICONDUCTEURS NON HOMOGENESSHIK A YA.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 11; PP. 2129-2134; BIBL. 16 REF.Article

ACTIVITE DE RECOMBINAISON DE L'INTERFACE DE SEPARATION SEMICONDUCTEUR-DIELECTRIQUE) - ARTICLE DE REVUELITOVCHENKO VG.1974; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 14; PP. 3-20; BIBL. 1 P.Article

EFFECTIVE RECOMBINATION VELOCITY AT THE NN+ INTERFACERAM GV; TYAGI MS.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 8; PP. 753-761; BIBL. 36 REF.Article

PROPRIETES PHOTOELECTRIQUES DES MONOCRISTAUX DE TELLUREGURINA IA; LYUBCHENKO AV; PROKOPCHUK LF et al.1975; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 20; NO 8; PP. 1244-1250; ABS. ANGL.; BIBL. 22 REF.Article

A THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDY OF RECOMBINATION IN SILICON P-N JUNCTIONS.ASHBURN P; MORGAN DV; HOWES MJ et al.1975; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1975; VOL. 18; NO 6; PP. 569-577; BIBL. 15 REF.Article

NEW SURFACE-CONTROLLED NEGATIVE-IMPEDANCE TRANSISTOR.HAYTHORNHWAITE RF; THOMAS RE.1974; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1974; VOL. 10; NO 14; PP. 273-274; BIBL. 3 REF.Article

RECOMBINATION IN LATENT IMAGE FORMATION.SPENCER HE.1976; J. PHOTOGR. SCI.; G.B.; DA. 1976; VOL. 24; NO 1; PP. 34-39; ABS. FR. ALLEM. ITAL.; BIBL. 35 REF.Article

TRANSFERT D'EXCITATION PAR PHOTONS DES PORTEURS HORS D'EQUILIBRE DANS L'ARSENIURE DE GALLIUMEPIFANOV MS; GALKIN GN; BOBROVA EA et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 5; PP. 889-895; BIBL. 11 REF.Article

THE EFFECT OF AUGER RECOMBINATION ON THE EMITTER INJECTION EFFICIENCY OF BIPOLAR TRANSISTORS.SHENG WW.1975; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 22; NO 1; PP. 25-27; BIBL. 7 REF.Article

RECENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX SUR LE ROLE DES IONS IODURES AINSI QUE SOURCE DE DEFAUTS RETICULAIRES DANS LES MONICRISTAUX DE BROMURE D'ARGENT.SANZ SANTACRUZ LF; DE SATA JA.1973; J. PHYS., COLLOQ.; FR.; DA. 1973; VOL. 34; NO 9; PP. 121-122; ABS. ANGL.; BIBL. 9 REF.; (DEFAUTS RESEAU CRISTAUX IONIQUES. 1ERE CONF. INT.; MARSEILLE; 1973Conference Paper

RADIATIVE RECOMBINATION MECHANISMS IN GAASP DIODES WITH AND WITHOUT NITROGEN DOPINGCRAFORD MG; SHAW RW; HERZOG AH et al.1972; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 43; NO 10; PP. 4075-4083; BIBL. 25 REF.Serial Issue

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