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Exciton molecules in multi-valley semiconductorsROGACHEV, A. A.Progress in quantum electronics. 2001, Vol 25, Num 4, pp 141-164, issn 0079-6727Article

Spectroscopie optique d'électrons et trous bidimensionnels à la surface du siliciumALTUKHOV, P. D; ROGACHEV, A. A.Fizika tverdogo tela. 1985, Vol 27, Num 11, pp 3443-3446, issn 0367-3294Article

Current instabilities in the Auger transistorOSTROUMOVA, E. V; ROGACHEV, A. A.Microelectronics journal. 1998, Vol 29, Num 10, pp 701-708, issn 0959-8324Conference Paper

Current instabilities in the Auger transistorOSTROUMOVA, E. V; ROGACHEV, A. A.International conference on microelectronic. 1997, pp 277-280, isbn 0-7803-3664-X, 2VolConference Paper

Estimation de l'effort de dressage d'un produit dégrossiROGACHEV, A. A; GARYASHIN, V. S.Izvestija vysših učebnyh Zavedenij. Černaja Metallurgija. 1983, Num 12, issn 0368-0797, 136Article

Oscillations du potentiel électrostatique dans les semiconducteurs lorsque les porteurs de charge hors d'équilibre font écran au champ électrique extérieurMONAKHOV, A. M; ROGACHEV, A. A.Fizika tverdogo tela. 1988, Vol 30, Num 4, pp 1153-1160, issn 0367-3294Article

The influence of strong electric field on the interface in the Al-SiO2-n-Si Auger transistorROGACHEV, A. A; KALGANOV, V. D; MILESHKINA, N. V et al.Microelectronics journal. 2000, Vol 31, Num 11-12, pp 905-911, issn 0959-8324Conference Paper

Photoluminescence studies of anomalous diamagnetic properties of the 2D e-h system on the GaAs surfaceAVERKIEV, N. S; ASNIN, V. M; ROGACHEV, A. A et al.Physica status solidi. B. Basic research. 1990, Vol 159, Num 1, pp 471-476, issn 0370-1972Conference Paper

Magnétorésistance négative géante de l'antimoniure d'indium dopé par le manganèse déformé uniaxialementAVERKIEV, N. S; GAJ, V; OBUKHOV, S. A et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1984, Vol 40, Num 2, pp 45-47, issn 0370-274XArticle

Effects of Polyvinyl Chloride and Aluminum Trichloride on Structure and Property of Polyaniline Composite Films by Electron Beam DepositionZHUBO LIU; ROGACHEV, A. A; BING ZHOU et al.Polymer engineering and science. 2013, Vol 53, Num 3, pp 502-506, issn 0032-3888, 5 p.Article

The two dimensional electron-hole plasma on the GaAs-electrolyte interfaceASNIN, V. M; ROGACHEV, A. A; SILOV, A. Y et al.Solid state communications. 1990, Vol 74, Num 5, pp 405-408, issn 0038-1098, 4 p.Article

Détection d'un courant photoélectrique de surface dû à l'orientation optique des électrons dans un semiconducteurBAKUN, A. A; ZAKHARCHENYA, B. P; ROGACHEV, A. A et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1984, Vol 40, Num 11, pp 464-466, issn 0370-274XArticle

Surface influence on nucleation phenomena in electron-hole drop formation in germaniumASNIN, V. M; BEL'KOV, V. V; ROGACHEV, A. A et al.Solid state communications. 1983, Vol 48, Num 7, pp 611-615, issn 0038-1098Article

Formation of complex bis(β-mercaptobenzothiazole)-zinc(II) films by pulsed laser depositionKEJIE ZHANG; YARMOLENKO, M. A; ROGACHEV, A. A et al.Applied surface science. 2013, Vol 273, pp 836-840, issn 0169-4332, 5 p.Article

Molecular structure and optical properties of PTFE-based nanocomposite polymer-metal coatingsRAHACHOU, A. V; ROGACHEV, A. A; YARMOLENKO, M. A et al.Applied surface science. 2012, Vol 258, Num 6, pp 1975-1979, issn 0169-4332, 5 p.Conference Paper

Recombination radiation from heavily-doped n-type indium antimonide crystalsAVERKIEV, N. S; KALININ, B. N; LOSEV, A. V et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1990, Vol 121, Num 1, pp K129-K133, issn 0031-8965Article

Excitons liés à la couche de la charge de surface dans le siliciumALTUKHOV, P. D; BAKUN, A. A; KRUTITSKIJ, A. V et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1987, Vol 46, Num 11, pp 427-430, issn 0370-274XArticle

Effet photogalvanique circulaire dans le tellure. II. ExpérienceAVERKIEV, N. S; ASNIN, V. M; BAKUN, A. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 4, pp 648-654, issn 0015-3222Article

Cinétique de condensation des excitons en liquide d'électrons-trous dans les cristaux de dimensions finiesASNIN, V. M; BEL'KOV, V. V; ROGACHEV, A. A et al.ZETF. Pis′ma v redakciû. 1983, Vol 84, Num 6, pp 2129-2140, issn 0044-4510Article

Electron-Beam Deposition of Polyethylene Composite Coatings at Various Initiators and InhibitorsZHUBO LIU; ROGACHEV, A. A; BING ZHOU et al.Polymer engineering and science. 2012, Vol 52, Num 10, pp 2134-2139, issn 0032-3888, 6 p.Article

Localisation des électrons dans une hétérojonction de seconde espèceBARANOV, A. N; GUSEJNOV, A. A; ROGACHEV, A. A et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1988, Vol 48, Num 6, pp 342-344, issn 0370-274XArticle

Système d'électrons-trous bidimensionnel dans la région de l'hétérojonction des structures GaAs-GaAlAs à dopage moduléALTUKHOV, P. D; BAKUN, A. A; MEDVEDEV, B. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 3, pp 449-455, issn 0015-3222Article

Condensat électron-trou bidimensionnel sur la surface du germaniumASNIN, V. M; ROGACHEV, A. A; STEPANOV, V. I et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1987, Vol 45, Num 9, pp 436-439, issn 0370-274XArticle

Rayonnement de recombinaison des paires électron-trou hors d'équilibre liées à la couche de la charge superficielle dans le siliciumALTUKHOV, P. D; IVANOV, A. V; LOMASOV, YU. N et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1983, Vol 38, Num 1, pp 5-8, issn 0370-274XArticle

The Auger transistor based on the Al-SiO2-n-Si heterostructureOSTROUMOVA, E. V; ROGACHEV, A. A.Applied surface science. 2000, Vol 166, pp 480-484, issn 0169-4332Conference Paper

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