Utilisation des spectres de luminescence des polaritons pour caractériser la qualité des cristaux de GaAsZHILYAEV, YU. V; ROSSIN, V. V; ROSSINA, T. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 10, pp 1885-1888, issn 0015-3222Article

Magnetic cooling of excitons in GaAsZHILYAEV, YU. V; ROSSIN, V. V; ROSSINA, T. V et al.Soviet physics, JETP. 1991, Vol 72, Num 4, pp 692-698, issn 0038-5646, 7 p.Article

Influence de l'intensité d'excitation sur la luminescence des polaritons dans l'arséniure de galliumBOTNARYUK, V. M; ZHILYAEV, YU. V; ROSSIN, V. V et al.Fizika tverdogo tela. 1986, Vol 28, Num 1, pp 201-207, issn 0367-3294Article

The investigation of a transition layer in epitaxial GaAs by the low temperature photoluminescence techniqueZHILYAEV, YU. V; KRIVOLAPCHUK, V. V; RODIONOV, A. V et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1985, Vol 89, Num 1, pp K61-K64, issn 0031-8965Article

Enhancement of exciton luminescence of GaAs in a magnetic fieldZHILYAEV, YU. V; ROSSIN, V. V; ROSSINA, T. V et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1989, Vol 49, Num 9, pp 492-494, issn 0370-274X, 3 p.Article

Luminescence de polaritons de GaAsZHILYAEV, YU. V; MARKARYAN, G. R; ROSSIN, V. V et al.Fizika tverdogo tela. 1986, Vol 28, Num 9, pp 2688-2695, issn 0367-3294Article