ZUR BEDEUTUNG RADIALER UND AXIALER TEMPERATURGRADIENTEN FUER DIE SPANNUNGEN IN KRISTALLEN. = CONSEQUENCES DES GRADIENTS DE TEMPERATURES RADIAUX ET AXIAUX SUR LES TENSIONS DANS LES CRISTAUXGEIL W; SCHMUGGE K.1978; KRISTALL. U. TECH.; DTSCH.; DA. 1978; VOL. 13; NO 2; PP. 195-210; BIBL. 14 REF.Article

UBER DIE VERSETZUNGSVERVIELFACHUNG IN SILIZIUMEINKRISTALLEN. = LA MULTIPLICATION DES DISLOCATIONS DANS LES MONOCRISTAUX DE SILICIUMGEIL W; SCHMUGGE K.1977; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 12; NO 11; PP. 1181-1189; ABS. RUSSE; BIBL. 5 REF.Article

INTERACTION BETWEEN TECHNOLOGICAL PARAMETERS AND CRYSTAL QUALITY DURING THE CRYSTAL GROWTH OF SILICON CRYSTALS, FREE FROM DISLOCATIONSGEIL W; SCHMUGGE K.1979; KRISTALL U. TECH.; DDR; DA. 1979; VOL. 14; NO 3; PP. 343-350; ABS. GER/RUS; BIBL. 11 REF.Article

UBER DIE ANWENDUNG AXIALEN GLEICHSTROMS BEI DER ZUECHTUNG VON SI-EINKRISTALLEN GROSSER DURCHMESSER = UTILISATION D'UN C.C. AXIAL DANS LA FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SI DE GRAND DIAMETRELEBEK A; GEIL W; SCHMUGGE K et al.1972; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 7; NO 8; PP. 907-922; ABS. ANGL. RUSSE; BIBL. 10 REF.Serial Issue

UEBER WECHSELWIRKUNGEN ZWISCHEN VERSETZUNGSDICHTE, FREMDSTOFFEN UND SPANNUNGEN IM SILIZIUMEINKRISTALL. = SUR LES INTERACTIONS ENTRE DENSITE DES DISLOCATIONS, IMPURETES ET TENSIONS DANS UN MONOCRISTAL DE SILICIUMGEIL W; MARKUS M; SCHMUGGE K et al.1976; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 11; NO 12; PP. 1265-1273; ABS. RUSSE; BIBL. 19 REF.Article