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ELECTRICAL PROPERTIES OF COMPOUND SEMICONDUCTORS-POLYMER INTERFACES IN M.I.S. STRUCTURESSEGUI Y.1982; JOURNAL OF ELECTROSTATICS; ISSN 0304-3886; NLD; DA. 1982; VOL. 13; NO 3; PP. 287-293; BIBL. 17 REF.Article

Traitement des polymères par plasmas froids : Les applications industrielles des plasmas froids = Polymer treatment using cold plasmasSEGUI, Y.REE. Revue de l'électricité et de l'électronique. 1998, Num 4, pp 88-90, issn 1265-6534Article

GAS DISCHARGE IN HEXAMETHYLDISILOXANESEGUI Y; BUI AI.1976; J. APPL. POLYM. SCI.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 20; NO 6; PP. 1611-1618; BIBL. 14 REF.Article

ETUDE DE LA POLYMERISATION D'HEXAMETHYLDIXILOXANE PAR DECHARGE BASSE FREQUENCE. CARACTERISATION ET APPLICATIONS.BUI AI; SEGUI Y.sdIN: TABLE RONDE INT. TRAIT. SURF. POLYM. PLASMA. COMMUN.; LIMOGES; 1977; LIMOGES; UNIV. LIMOGES; DA. S.D.; PP. 16.1-16.7; H.T. 2; BIBL. 6 REF.Conference Paper

MICROELECTRONIC APPLICATIONS OF PLASMA-POLYMERIZED FILMS.SEGUI Y; BUI AI.1978; THIN SOLID FILMS; NLD; DA. 1978; VOL. 50; PP. 321-324; BIBL. 15 REF.Article

PASSIVATION DES JONCTIONS AU MOYEN DE COUCHES MINCES DE POLYMERES OBTENUES PAR L'ACTION D'UNE DECHARGE LUMINESCENTE DANS UNE VAPEUR MONOMERE.BUIAI; SEGUI Y; MAISONNEUVE J et al.1974; DGRST-7371336; FR.; DA. 1974; PP. 1-27; H.T. 37; BIBL. 3 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: C.C.M.)Report

ELECTRICAL PROPERTIES OF METAL-POLYMER (POLYSILOXANE)-SILICON STRUCTURES AND APPLICATION OF POLYSILOXANE TO THE PASSIVATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES.MAISONNEUVE M; SEGUI Y; BUI A et al.1976; THIN SOLID FILMS; NETHERL.; DA. 1976; VOL. 33; NO 1; PP. 35-41; BIBL. 10 REF.Article

SYNTHESE DE L'ARSENIURE DE GALLIUM PAR PLASMA FROIDCARRERE F; SEGUI Y; MORET B et al.1983; INFORMATIONS CHIMIE; ISSN 0020-045X; FRA; DA. 1983; NO 234; PP. 107-109Article

NEW METHOD OF GAAS PASSIVATION WITH THIN POLYMER FILMS.BROSSET D; BUI AI; SEGUI Y et al.1978; APPL. PHYS. LETTERS; USA; DA. 1978; VOL. 33; NO 1; PP. 87-89; BIBL. 7 REF.Article

ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION DANS DES FILMS MINCES DE POLYSILOXANE.DESBARAX N; SEGUI Y; BUI AI et al.1976; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1976; VOL. 33; NO 1; PP. 247-254; ABS. ANGL.; BIBL. 13 REF.Article

PLASMA DEPOSITION OF GAASSEGUI Y; CARRERE F; BUI A et al.1982; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1982; VOL. 92; NO 4; PP. 303-307; BIBL. 20 REF.Article

CABLES A COURANT CONTINU A ISOLATION SYNTHETIQUE EXTRUDEE. II: DETERMINATION DE LA CHARGE D'ESPACE DANS LES DIELECTRIQUES PAR LA MESURE DES COURANTS DE CHARGE ET DE DECHARGEJONSCHER AK; CARCHANO H; SEGUI Y et al.1978; REV. GEN. ELECTR.; FRA; DA. 1978; VOL. 87; NO 11; PP. 866-869; BIBL. 7 REF.Article

CHARGE TRANSPORT IN THIN POLYMER FILMS AS SHOWN BY C-V MEASUREMENTS.MAISONNEUVE M; SEGUI Y; BUI AI et al.1977; THIN SOLID FILMS; NETHERL.; DA. 1977; VOL. 44; NO 2; PP. 209-216; BIBL. 11 REF.Article

SWITCHING IN POLYSTYRENE FILMS: TRANSITION FROM ON TO OFF STATE.SEGUI Y; BUI AI; CARCHANO H et al.1976; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 47; NO 1; PP. 140-143; BIBL. 13 REF.Article

A NEW POLYMER INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORAKTIK M; SEGUI Y; BUI AI et al.1980; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1980; VOL. 5; NO 9; PP. 5055-5057; BIBL. 6 REF.Article

GROWTH OF POLYMER FILMS ON COMPOUND SEMICONDUCTORS AND DRY ETCHING PROCESSAKTIK M; SEGUI Y; BUI AI et al.1979; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1979; VOL. 50; NO 10; PP. 6567-6569; BIBL. 21 REF.Article

Etude des polyimides en vue de leur utilisation pour circuits multicouches et pour la protection localisée des circuits intégrés = Study of polyimides intented for their use in multilayer circuits and integrated circuit localized protectionSEGUI, Y.sd, 103 p.Report

Effect of moisture sorption on ac properties of glass-epoxy compositesDOUKKALI, K; SEGUI, Y.Journal of applied polymer science. 1990, Vol 41, Num 7-8, pp 1533-1547, issn 0021-8995, 15 p.Article

FERROELECTRICITY OF POLY(VINYLIDENEFLUORIDE): TRANSITION TEMPERATUREHERCHENROEDER P; SEGUI Y; HORNE D et al.1980; PHYS. REV. LETT.; ISSN 0031-9007; USA; DA. 1980; VOL. 45; NO 26; PP. 2135-2137; BIBL. 9 REF.Article

ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUES DES PRINCIPAUX POLYMERES UTILISES DANS LE DOMAINE DES SEMICONDUCTEURS: APPLICATIONS AU DISPOSITIF PHOTOCOUPLEURBUI AI; GRASSIONOT G; FARRUGGIA M et al.1979; ; FRA; DA. 1979; DGRST-77 7 1902; 90 P.: ILL.; 30 CM; ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROMINIATURISESReport

ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUES DES PRINCIPAUX POLYMERES UTILISES DANS LE DOMAINE DES SEMI-CONDUCTEURS: APPLICATIONS AU DISPOSITIF PHOTOCOUPLEURBUI AI; GRASSIONOT G; FARUGGIA M et al.1979; ; FRA; DA. 1979; DGRST-77 7 1902; 90 P.: ILL.; 30 CM; ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROMINIATURISESReport

Effect of plasma treatments on wettability of polysulfone and polyetherimideASFARDJANI, K; SEGUI, Y; AURELLE, Y et al.Journal of applied polymer science. 1991, Vol 43, Num 2, pp 271-281, issn 0021-8995, 11 p.Article

New plasma deposition process of amorphous GaxAs1-x in an r.f. capacitively coupled diode systemDESPAX, B; AGUIR, K; SEGUI, Y et al.Thin solid films. 1986, Vol 145, Num 2, pp 233-240, issn 0040-6090Article

Les polymères thermostables pour l'électronique = Thermostable polymers for electronicsBUI, A; FARENC, J; SEGUI, Y et al.Revue de physique appliquée. 1986, Vol 21, Num 11, pp 659-663, issn 0035-1687Conference Paper

Oxygen barrier efficiency of hexamethyldisiloxane/oxygen plasma-deposited coatingAGRES, L; SEGUI, Y; DELSOL, R et al.Journal of applied polymer science. 1996, Vol 61, Num 11, pp 2015-2022, issn 0021-8995Article

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