NUMERICAL MODELING OF POWER MOSFETSNAVON DH; WANG CT.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 4; PP. 287-290; BIBL. 13 REF.Article

ON THE PHYSICS AND MODELING OF SMALL SEMICONDUCTOR DEVICES. IV: GENERALIZED, RETARDED TRANSPORT IN ENSEMBLE MONTE CARLO TECHNIQUESZIMMERMANN J; LUGLI P; FERRY DK et al.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 3; PP. 233-239; BIBL. 39 REF.Article

STRUCTURES PERIODIQUES ET LEUR APPLICATION DANS LES DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES A SEMICONDUCTEURSMALAG A.1978; ROZPR. ELEKTROTECH.; POLSKA; DA. 1978; VOL. 24; NO 1; PP. 191-225; ABS. ANGL. FR. ALLEM. RUSSE; BIBL. 42 REF.Article

OPERATIONAL LIFE TESTING OF SEMICONDUCTOR DEVICESFARNHOLTZ DF.1981; WEST. ELECTR. ENG.; ISSN 0043-3659; USA; DA. 1981; VOL. 25; NO 3; PP. 3-9Article

SEQUENCE TEST METHOD FOR RELIABILITY EVALUATION OF SEMICONDUCTOR DEVICESCANDADE VS.1981; MICROELECTRON. RELIAB.; ISSN 0026-2714; GBR; DA. 1981; VOL. 21; NO 2; PP. 225-229; BIBL. 4 REF.Article

PRIMER ON HEAT SINKSLAVOCHKIN R.1979; ELECTRON. PACKAG. PRODUCT.; USA; DA. 1979; VOL. 19; NO 10; PP. 135-138; (3 P.)Article

CONVERTISSEUR DE PRESSION INTEGRE A MEMBRANE AVEC CENTRE RIGIDEPOLIVANOV PP.1978; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; UKR; DA. 1978; VOL. 21; NO 12; PP. 93-94; BIBL. 4 REF.Article

HIGH-RELIABILITY SEMICONDUCTORS: PAYING MORE DOESN'T ALWAYS PAY OFF.HNATEK ER.1977; ELECTRONICS; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 50; NO 3; PP. 101-105Article

METHODES D'INTERFEROMETRIE INFRAROUGE POUR LA MESURE DES PARAMETRES DES STRUCTURES EPITAXIALES AU SILICIUM AVEC UNE COUCHE CACHEEBANKOVSKIJ YU V; VOLKOVA LV; KOKIN AA et al.1981; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1981; VOL. 10; NO 2; PP. 140-145; BIBL. 3 REF.Article

MODELE NON LINEAIRE D'UNE RESISTANCE DE CONTRAINTE INTEGREE AVEC JONCTION P-N ISOLANTEGRIDCHIN VA.1978; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; UKR; DA. 1978; VOL. 21; NO 12; PP. 73-77; BIBL. 5 REF.Article

VARIATION AVEC LES COORDONNEES DE LA SENSIBILITE A LA LUMIERE DE DETECTEURS SEMICONDUCTEURS DE RAYONNEMENT IONISANT.MESHCHERYAKOV AB.1978; PRIBORY TEKH. EKSPER.; SUN; DA. 1978; NO 2; PP. 242-243; BIBL. 3 REF.Article

NUMERICAL SIMULATION OF TRANSIENT PROCESSES IN 2-D BIPOLAR TRANSISTORSPOLSKY BS; RIMSHANS JS.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 12; PP. 1081-1085; BIBL. 17 REF.Article

PLASTIC ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICES. A BIBLIOGRAPHY.TAYLOR CH.1977; MICROELECTRON. AND RELIABIL.; G.B.; DA. 1977; VOL. 16; NO 6; PP. 701-704Article

TEMPS DE RETABLISSEMENT ET SON LIEN AVEC LA PUISSANCE LIMITE DES DISPOSITIFS SOLIDES MICROONDES DE PROTECTIONLEBEDEV IV; ALYBIN VG; NIKULIN VV et al.1980; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; ISSN 0021-3470; SUN; DA. 1980; VOL. 23; NO 10; PP. 12-19; BIBL. 19 REF.Article

SCHNELLES BESTIMMEN DES THERMISCHEN WIDERSTANDES VON HALBLEITERBAUELEMENTEN = DETERMINATION RAPIDE DE LA RESISTANCE THERMIQUE DES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEURSPOEHLMANN B.1980; ELEKTRONIK (MUENCH.); ISSN 0013-5658; DEU; DA. 1980; VOL. 29; NO 22; PP. 125-127Article

KENNZEICHNUNG DES POP-CORN-RAUSCHENS (STOSSRAUSCHENS) UND PARAMETER VON HALBLEITERBAUELEMENTEN. = LA CARACTERISATION DU BRUIT DE GRENAILLE ET LES PARAMETRES DES CONSTITUANTS SEMI-CONDUCTEURSHASSE L; SPIRALSKI L.1977; NACHR.-TECH. ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 27; NO 7; PP. 305-307; BIBL. 10 REF.Article

CARACTERISTIQUES DES TENSORESISTANCES SEMICONDUCTRICES DANS DES ONDES ELASTIQUESABRAMCHUK GA; ALEKHIN VA; VASHCHENKO AP et al.1977; PROBL. PROCHN., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 6; PP. 116-118; BIBL. 10 REF.Article

APPLICATIONS OF ELECTROCHEMISTRY TO FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES.SCHNABLE GL; SCHMIDT PF.1976; J. ELECTROCHEM. SOC.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 123; NO 9; PP. 310C-313C; BIBL. 2 P.Article

GENERALISED ICCG METHOD FOR SOLUTION OF ASYMMETRIC, SPARSE, LINEAR SYSTEMS OF DISCRETISED SEMICONDUCTOR DEVICE EQUATIONSCHANG FY; WAGNER LF.1982; ELECTRONICS LETTERS; ISSN 0013-5194; GBR; DA. 1982; VOL. 18; NO 15; PP. 658-660; BIBL. 7 REF.Article

PLASTIC ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICES. BIBLIOGRAPHY VTAYLOR CH.1981; MICROELECTRON. RELIAB.; ISSN 0026-2714; GBR; DA. 1981; VOL. 21; NO 4; PP. 487-490Article

POLYSILICON PASSIVATION OF SEMICONDUCTOR DEVICESIOSIF D; SOLTUZ V; DINOIU G et al.1981; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1981; VOL. 75; NO 2; PP. 125-131; BIBL. 8 REF.Article

SUR L'OPTIMISATION DES PARAMETRES DES DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS DE GRANDE SURFACEMNATSAKANOV TT.1978; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1978; VOL. 23; NO 12; PP. 2612-2615; BIBL. 5 REF.Article

SEMICONDUCTOR DEVICES AND THE QUESTION OF PLUGGABILITY.MARKSTEIN HW.1977; ELECTRON. PACKAG. PRODUCT.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 17; NO 10; PP. 61-66 (4P.)Article

PHYSICAL AND TECHNOLOGICAL LIMITS IN SIZE OF SEMICONDUCTOR DEVICES.SUGANO T.1976; JAP. J. APPL. PHYS.; JAP.; DA. 1976; VOL. 15; SUPPL. 1; PP. 329-330; BIBL. 5 REF.; (CONF. SOLID STATE DEVICES. 7. PROC.; TOKYO; 1975)Conference Paper

FLUORESCENT TRACERS. POWERFUL TOOLS FOR STUDYING CORROSION PHENOMENA AND DEFECTS IN DIELECTRICSHERN W; COMIZZOLI RB; SCHNABLE GL et al.1982; RCA REVIEW; ISSN 0033-6831; USA; DA. 1982; VOL. 43; NO 2; PP. 310-338; BIBL. 27 REF.Article