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BILANMETRE A SEMI-CONDUCTEUR ET SON UTILISATIONKAPUSTIN VF; TAJTS DA; RYBIN VA et al.1977; TRUDY GLAVN. GEOFIZ. OBS. A.I. VOEJKOVA, LENINGRAD; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 384; PP. 62-73; BIBL. 13 REF.Article

POSSIBILITE D'UTILISATION D'ELEMENTS THERMIQUES A SEMI-CONDUCTEUR DANS LES INSTRUMENTS D'ACTINOMETRIEZACHEK SI; KAPUSTIN VF; KARPOV VG et al.1977; TRUDY GLAVN. GEOFIZ. OBS. A.I. VOEJKOVA, LENINGRAD; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 384; PP. 54-61; BIBL. 8 REF.Article

POSSIBILITE DE REALISER UN MASER A MAGNONS OPTIQUES AVEC UNE JONCTION P-N DANS DES SEMICONDUCTEURS MAGNETIQUESBASS FG; OLEJNIK IN.1982; ZURNAL TEHNICESKOJ FIZIKI; ISSN 0044-4642; SUN; DA. 1982; VOL. 52; NO 1; PP. 124-126; BIBL. 6 REF.Article

PASSIVIERUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN DURCH ANODISIERTES ALUMINIUM. = PASSIVATION D'ELEMENTS SEMI-CONDUCTEURS PAR DE L'ALUMINIUM ANODISENENYEI Z.1977; METALLOBERFLAECHE; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 31; NO 3; PP. 104-110; BIBL. 20 REF.Article

A SMALL GEOMETRY MOSFET MODEL FOR CAD APPLICATIONSGUEBELS PP; VAN DE WIELE F.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 4; PP. 267-273; BIBL. 20 REF.Article

CHINA SEMICONDUCTOR INDUSTRY (IEEE DELEGATION, 1981 FALL) = INDUSTRIE DE SEMICONDUCTEURS EN CHINE (DELEGATION IEEE, AUTOMNE 1981)TRAPP OD.1982; IEEE TRANS. RELIAB.; ISSN 0018-9529; USA; DA. 1982; VOL. 31; NO 2; PP. 148-154; 4 P.Article

BALLISTIC ELECTRON TRANSPORT IN SEMICONDUCTORSHESS K.1981; IEEE TRANS. ELECTRON DEVICES; ISSN 0018-9383; USA; DA. 1981; VOL. 28; NO 8; PP. 937-940; BIBL. 22 REF.Article

A PRECISION MULTIWAVELENGTH FOCUSING SINGLET FOR HIGH POWER LASERSNICHOLAS DJ.1983; JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS; ISSN 0022-3727; GBR; DA. 1983; VOL. 16; NO 3; PP. L53-L56; BIBL. 4 REF.Article

SPECTRAL RESPONSE OF PHOTOCONDUCTIVITY IN POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTORSCARD HC.1982; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1982; VOL. 25; NO 6; PP. 505-510; BIBL. 58 REF.Article

APPLICATIONS OF ACOUSTIC MICROSCOPY IN THE SEMICONDUCTOR INDUSTRYMILLER AJ.1982; ACOUSTICAL IMAGING; ISSN 0270-5117; USA; DA. 1982; VOL. 12; PP. 67-78; BIBL. 8 REF.Conference Paper

COMMENT ON : "ELECTRON MOBILITIES BASED ON AN EXACT NUMERICAL ANALYSIS OF THE DIELECTRIC-FUNCTION-DEPENDENT LINEARIZED POISSON'S EQUATION FOR THE POTENTIAL OF IMPURITY IONS IN SEMICONDUCTORS"CSAVINSZKY P; MORROW RA; SCARFONE LM et al.1981; PHYS. REV. B; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1981; VOL. 23; NO 8; PP. 4263-4268; BIBL. DISSEM.Article

DESIGN AND PRODUCTION OF SMALL HOLE PROFILES IN THIN MATERIALS = CONCEPTION ET FABRICATION DE PERFORATIONS DE FORME DANS LES MATERIAUX MINCESALLEN DM.1981; CME, CHART. MECH. ENG.; ISSN 0306-9532; GBR; DA. 1981; VOL. 28; NO 3; PP. 37-40; BIBL. 13 REF.Article

SPREAD OF SEMICONDUCTOR-APPLIED TECHNOLOGY RAISES NEDD FOR NOISE FILTERS1981; JEE, J. ELECTRON. ENG.; ISSN 0385-4507; JPN; DA. 1981; VOL. 18; NO 174; PP. 51-68; 4 P.Article

FORME ASYMPTOTIQUE DE QUASI-DERIVE DE LA FONCTION DE DISTRIBUTION DANS LES SEMICONDUCTEURSGRIBNIKOV ZS.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 7; PP. 1372-1379; BIBL. 5 REF.Article

EXCITATION RESONNANTE DU PHOTOCOURANT DANS LES SEMICONDUCTEURSDYKHNE AM; ROSLYAKOV VA; STAROSTIN AN et al.1980; DOKL. AKAD. NAUK SSSR; ISSN 0002-3264; SUN; DA. 1980; VOL. 254; NO 3; PP. 599-604; BIBL. 9 REF.Article

BREVET CAPTEUR DE PRESSION A SEMI-CONDUCTEURS1979; ; FRA; DA. 1979-01-26; FR/A1/2.392.375; DEP.77-15750/1977-05-23Patent

BREVET PLAQUE DE TRANSMISSION DE LA CHALEUR, METALLIQUE, COMPOSITE ET PREFABRIQUEE1979; ; FRA; DA. 1979-03-02; FR/A1/2.396.263; DEP.78-17339/1978-06-09; PR. US/811.084/1977-06-29Patent

DISPERSION D'UNE ONDE DE DEPLACEMENT AXIAL PLANE PAR UN SEMICONDUCTEUR PIEZOELECTRIQUE CYLINDRIQUELYAMSHEV LM; SHEVYAKHOV NS.1977; AKUST. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 23; NO 1; PP. 96-105; BIBL. 20 REF.Article

BREVET 2.309.985 (A1) (76 12960). - 30 AVRIL 1976. PROCEDE POUR LA FABRICATION D'UN ELEMENT THERMOELECTRIQUE, ELEMENT FABRIQUE PAR CE PROCEDE ET APPLICATION DE CET ELEMENT.sdPatent

BREVET 2.321.117 (A1) (76 24931). - 11 AOUT 1976. DISPOSITIF DE DETECTION THERMIQUE.sdPatent

MICROWAVE CIRCUIT MODELS OF SEMICONDUCTOR INJECTION LASERSTUCKER RS; POPE DJ.1983; IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES; ISSN 0018-9480; USA; DA. 1983; VOL. 31; NO 3; PP. 289-294; BIBL. 13 REF.Article

BUILDING A SIMPLE RELIABLE LOW-COST MODELOCKER SYSTEMALBRECHT GF; LUND L; SMITH D et al.1983; APPLIED OPTICS; ISSN 0003-6935; USA; DA. 1983; VOL. 22; NO 9; PP. 1276-1280; BIBL. 27 REF.Article

DISPOSITIF DE CONTACT MAGNETIQUENAKHMANSON RS; ROTMAN SZ.1982; PRIB. TEH. EKSP.; ISSN 0032-8162; SUN; DA. 1982; NO 1; PP. 227Article

ETUDE EXPERIMENTALE D'UN SYSTEME ELECTRODYNAMIQUE DE MASER SEMICONDUCTEUR A RESONANCE CYCLOTRONVERTIJ AA; IVANCHENKO IV; KOSHEVAYA SV et al.1982; IZVESTIJA VYSSIH UCEBNYH ZAVEDENIJ. RADIOFIZIKA; ISSN 0021-3462; SUN; DA. 1982; VOL. 25; NO 7; PP. 827-832; ABS. ENG; BIBL. 11 REF.Article

MAGNETORESISTANCE LONGITUDINALE PHOTOSTIMULEE DANS LES SEMICONDUCTEURSSHMELEV GM; EHPSHTEJN EH M.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 4; PP. 747-749; BIBL. 7 REF.Article

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