Diffusion quantique des défauts dans des états excitésVIKHNIN, V. S; SHEJNKMAN, M. K.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 9, pp 1577-1584, issn 0015-3222Article

Mécanisme de la variation stimulée par un ultrason des propriétés photoélectriques et luminescentes du sulfure de cadmiumZOEBSKIJ, A. P; MIRONYUK, N. V; OSTAPENKO, S. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 10, pp 1861-1867, issn 0015-3222Article

Centre complexe de la luminescence de scintillation dans les monocristaux de CdS irradiés par des électronsBOGDANYUK, N. S; GALUSHKA, A. P; OSTAPENKO, S. S et al.Fizika tverdogo tela. 1985, Vol 27, Num 7, pp 1921-1928, issn 0367-3294Article

Transformation des centres profonds dans le processus de dégradation de diodes luminescentes en GaP <N,Zn-O>TORCHINSKAYA, T. V; SHMATOV, A. A; STROCHKOV, V. I et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 4, pp 701-707, issn 0015-3222Article

Recombinaison radiative sur les paires accepteur-donneur dans la région de charge d'espace des diodes Au-ZnSGORBENKO, N. V; KOSYACHENKO, L. A; MAKHNIJ, V. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 4, pp 619-624, issn 0015-3222Article

Influence d'un ultra-son sur les défauts ponctuels dans les structures Si-SiO2ZDEBSKIJ, A. P; KROPMAN, D. I; SHEJNKMAN, M. K et al.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1989, Vol 59, Num 8, pp 131-134, issn 0044-4642, 4 p.Article

Mécanisme de dissociation photostimulée des paires accepteur-donneur dans les cristaux de CdS et les solutions solides de CdSxSe1-xGARYAGDYEV, A; GORODETSKIJ, I. YA; KORSUNSKAYA, N. E et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 3, pp 400-403, issn 0015-3222Article

Particularités des propriétés de conduction des cristaux de β-(BEDT-TTF)2I3 contenant des défautsPOKHODNYA, K. I; SUSHKO, YU. V; TANATAR, M. A et al.Fizika tverdogo tela. 1987, Vol 29, Num 3, pp 884-887, issn 0367-3294Article

Transformation de la phase α de (BEDT-TTF)2I3 en phase β supraconductrice avec Tc=6-7KBARAM, G. O; BURAVOV, L. I; YAGUBSKIJ, EH. B et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1986, Vol 44, Num 6, pp 293-294, issn 0370-274XArticle

Une nouvelle série du rayonnement limite de CdS dans le champ électriqueGRIN, V. F; RIZAKHANOV, M. A; SHEJNKMAN, M. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 11, pp 2086-2088, issn 0015-3222Article

Spectroscopie laser avec polarisation de l'excitation de la luminescence «limite» dans CdSKISILYUK, A. A; OSTAPENKO, S. S; SHEJNKMAN, M. K et al.Optika i spektroskopiâ. 1987, Vol 62, Num 5, pp 1113-1121, issn 0030-4034Article

Démonstration de l'anisotropie optique des centres EL2 dans l'arséniure de gallium par la méthode de luminescence polariséeOBORINA, E. I; OSTAPENKO, S. S; SHEJNKMAN, M. K et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1987, Vol 46, Num 11, pp 449-451, issn 0370-274XArticle

Symétrie et modèle d'un centre complexe de photoluminescence et thermoluminescence polarisées dans des monocristaux de GaPBUYANOVA, I. A; OSTAPENKO, S. S; SHEJNKMAN, M. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 10, pp 1791-1800, issn 0015-3222Article

Luminescence polarisée des centres profonds dans les monocristaux de GaAs:Sn(Te)BUYANOVA, I. YA; OSTAPENKO, S. S; SHEJNKMAN, M. K et al.Fizika tverdogo tela. 1985, Vol 27, Num 3, pp 748-756, issn 0367-3294Article

Mécanisme de l'éclair de luminescence «rouge» dans les monocristaux de CdS irradiés par électronsBOGDANYUK, N. S; GALUSHKA, A. P; OSTAPENKO, S. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 2, pp 305-311, issn 0015-3222Article

Particularités de la luminescence des impuretés dans des solutions solides à base de séléniures et tellurures de cadmiumERMOLOVICH, I. B; SHEJNKMAN, M. K; SANITAROV, V. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 8, pp 1454-1458, issn 0015-3222Article