PHASE SEPARATION IN ALLOY-SI INTERACTION = SEPARATION DE PHASES DANS L'INTERACTION ALLIAGE-SIOTTAVIANI G; TU KN; MAYER JW et al.1980; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1980; VOL. 36; NO 4; PP. 331-333; BIBL. 6 REF.Article

ION INDUCED SILICIDE FORMATION IN NIOBIUM THIN FILMS = FORMATION DE SILICIURE INDUITE PAR IONS DANS DES COUCHES MINCES DE NBMATTESON S; ROTH J; NICOLET MA et al.1980; RAD. EFFECTS; GBR; DA. 1980; VOL. 49; NO 1-3; PP. 157-160; BIBL. 9 REF.Conference Paper

STRUCTURAL PROPERTIES OF THE PD-SI INTERFACE: AN INVESTIGATION BY REFLECTION HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION = PROPRIETES STRUCTURALES DE L'INTERFACE PD-SI: UNE ETUDE PAR DIFFRACTION EN REFLEXION D'ELECTRONS DE HAUTE ENERGIEOUSTRY A; BERTY J; CAUMONT M et al.1982; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1982; VOL. 97; NO 4; PP. 295-300; BIBL. 16 REF.Article

FORMATION OF MOSI₂ BY PULSED ELECTRON BEAM IRRADIATION ONTO A VAPOR DEPOSITED MOLYBDENUM/SILICON STRUCTURE = FORMATION DE MOSI₂ PAR IRRADIATION AVEC UN FAISCEAU D'ELECTRONS EN IMPULSIONS SUR UNE STRUCTURE MOLYBDENE/SILICIUM DEPOSEE EN PHASE VAPEURSUZUKI S.1983; APPLIED PHYSICS LETTERS; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1983; VOL. 42; NO 9; PP. 797-799; BIBL. 7 REF.Article

COMPETING AMBIENT EFFECTS ON THE INTERDIFFUSION IN PT/NI/AL FILMS = EFFETS D'AMBIANCE EN COMPETITION SUR L'INTERDIFFUSION DANS LES COUCHES MINCES PT/NI/ALCHIN AN CHANG.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 10; PP. 7088-7091; BIBL. 9 REF.Article

LOW ENERGY ELECTRON LOSS SPECTROSCOPIC STUDY OF PD-SI (111) SYSTEM = ETUDE PAR SPECTROSCOPIE DE PERTE POUR DES ELECTRONS DE BASSE ENERGIE DU SYSTEME PD-SI (111)OKUNO K; ITO T; IWAMI M et al.1982; SOLID STATE COMMUNICATIONS; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1982; VOL. 44; NO 2; PP. 209-212; BIBL. 9 REF.Article

SOLID-PHASE REACTIONS OF A POLYCRYSTALLINE SILICON FILM WITH A OVERLAPPING ALUMINUM FILM = REACTIONS EN PHASE SOLIDE D'UNE COUCHE MINCE POLYCRISTALLINE DE SI AVEC UNE COUCHE MINCE D'ALUMINIUM L'ENVELOPPANTFUKUDA Y; KOHDA S.1983; APPLIED PHYSICS LETTERS; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1983; VOL. 42; NO 1; PP. 68-70; BIBL. 6 REF.Article

VALENCE PHOTOEMISSION STUDY OF TEMPERATURE DEPENDENT REACTION PRODUCTS IN NI-SI INTERFACES AND THIN FILMS = ETUDE PAR PHOTOEMISSION DE VALENCE DES PRODUITS DE LA REACTION DEPENDANT DE LA TEMPERATURE DANS LES INTERFACES NI-SI ET LES COUCHES MINCESABBATI I; BRAICOVICH L; DE MICHELIS B et al.1982; SOLID STATE COMMUNICATIONS; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1982; VOL. 43; NO 3; PP. 199-202; BIBL. 22 REF.Article

EFFECTS OF ION-IMPLANTATION-INDUCED DAMAGES AND IMPURITY ON PLATINUM SILICIDE FORMATION = EFFETS DES DOMMAGES INDUITS PAR IMPLANTATION D'IONS ET DES IMPURETES SUR LA FORMATION DU SILICIURE DE PLATINEMASHIKO Y; KOYAMA H; KAWAZU S et al.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 9; PP. 6144-6147; BIBL. 8 REF.Article

LIGHT-FLASH INDUCED METALLIC SILICIDES FROM TITANIUM FILMS ON SILICON = SILICIURES METALLIQUES INDUITS PAR FLASH LUMINEUX A PARTIR DE COUCHES MINCES DE TITANE SUR DU SILICIUMJUH TZENG LUE; YUEN CHUNG LIU; WEI JIUN SHEN et al.1981; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1981; VOL. 38; NO 5; PP. 372-374; BIBL. 11 REF.Article

IMPURITY EFFECT IN MOLYBDENUM SILICIDE FORMATION = EFFET D'IMPURETES DANS LA FORMATION DU SILICIURE DE MOLYBDENENAVA F; MAJNI G; CANTONI P et al.1982; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1982; VOL. 94; NO 1; PP. 59-65; BIBL. 19 REF.Article

SILICIDES OF RUTHENIUM AND OSMIUM: THIN FILM REACTIONS, DIFFUSION, NUCLEATION, AND STABILITY = SILICIURES DE RUTHENIUM ET D'OSMIUM: REACTION DE COUCHES MINCES, DIFFUSION GERMINATION ET STABILITEPETERSSON CS; BAGLIN JEE; DEMPSEY JJ et al.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 7; PP. 4866-4883; BIBL. 50 REF.Article

SUPERCONDUCTING TRANSITION TEMPERATURES OF THIN V₃SI LAYERS FORMED BY THE INTERACTION OF V FILMS WITH THINLY OXIDIZED SI WAFERS = TEMPERATURES DE TRANSITION SUPRACONDUCTRICE DE COUCHES MINCES DE V₃SI FORMEES PAR L'INTERACTION DE COUCHES MINCES DE VANADIUM AVEC DES MORCEAUX DE SI FINEMENT OXYDESOYA GI; INABE H; ONODERA Y et al.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 2; PP. 1115-1121; BIBL. 17 REF.Article

COMPOUNDS IN THE PD-SI AND PT-SI SYSTEM OBTAINED BY ELECTRON BOMBARDMENT AND POST-THERMAL ANNEALING = COMPOSES DANS LES SYSTEMES PD-SI ET PT-SI OBTENUS PAR BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE ET POST-RECUIT THERMIQUEMAJNI G; NAVA F; OTTAVIANI G et al.1981; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1981; VOL. 52; NO 6; PP. 4055-4061; BIBL. 11 REF.Article

INITIAL STAGE OF ROOM-TEMPERATURE METAL-SILICIDE FORMATION STUDIED BY HIGH-ENERGY HE⁺-ION SCATTERING = STADE INITIAL DE LA FORMATION DE SILICIURE METALLIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE ETUDIEE PAR DIFFUSION D'IONS HE⁺ DE HAUTE ENERGIENARUSAWA T; GIBSON WM; HIRAKI A et al.1981; PHYS. REV. B; ISSN 0163-1829; USA; DA. 1981; VOL. 24; NO 8; PP. 4835-4838; BIBL. 19 REF.Article

ION-INDUCED SILICIDE FORMATION IN NIOBIUM THIN FILMS = FORMATION DE SILICIURE INDUITE PAR IONS DANS LES COUCHES MINCES DE NIOBIUMMATTESON S; ROTH J; NICOLET MA et al.1979; RAD. EFFECTS; GBR; DA. 1979; VOL. 42; NO 3-4; PP. 217-225; BIBL. 24 REF.Article

LOW TEMPERATURE GETTERING OF CU, AG, AND AU ACROSS A WAFER OF SI BY AL = PIEGEAGE A BASSE TEMPERATURE DE CU, AG ET AU PAR AL A TRAVERS UNE PASTILLE DE SITHOMPSON RD; TU KN.1982; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1982; VOL. 41; NO 5; PP. 440-442; BIBL. 14 REF.Article

INTERDIFFUSION AND COMPOUND FORMATION IN THE C-SI/PTSI/(TI-W)/AL SYSTEM = INTERDIFFUSION ET FORMATION DE COMPOSES DANS LE SYSTEME SI CRISTALLIN/PTSI/(TI-W)/ALCANALI C; CELOTTI G; FANTINI F et al.1982; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1982; VOL. 88; NO 1; PP. 9-23; BIBL. 18 REF.Article

CONTACT REACTION BETWEEN SI AND RARE EARTH METALS = REACTION DE CONTACT ENTRE SI ET LES LANTHANIDESTHOMPSON RD; TSAUR BY; TU KN et al.1981; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1981; VOL. 38; NO 7; PP. 535-537; BIBL. 14 REF.Article

THE EFFECT OF NITROGEN AT THE PT-SI INTERFACE ON THE GROWTH OF PLATINUM SILICIDES = EFFET DE L'AZOTE A L'INTERFACE PT-SI SUR LA CROISSANCE DE SILICIURES DE PLATINEJOUBERT P; AUVRAY P; HENRY L et al.1981; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1981; VOL. 79; NO 3; PP. 235-249; BIBL. 38 REF.Article

THE OXYGEN EFFECT IN THE GROWTH KINETICS OF PLATINUM SILICIDES = EFFET DE L'OXYGENE SUR LA CINETIQUE DE CROISSANCE DES SILICIURES DE PLATINENAVA F; VALERI S; MAJNI G et al.1981; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1981; VOL. 52; NO 11; PP. 6641-6646; BIBL. 15 REF.Article

CONTROL OF SOLID PHASE EPITAXIAL GROWTH IN THE PD-SI SYSTEM BY CARBON ION IMPLANTATION = CONTROLE DE LA CROISSANCE EPITAXIQUE EN PHASE SOLIDE DANS LE SYSTEME PD-SI PAR IMPLANTATION D'ION CARBONEISHIWARA H; SAITOH S; FURUKAWA S et al.1980; JPN. J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-4922; JPN; DA. 1980; VOL. 19; NO 5; PP. 831-837; BIBL. 8 REF.Article

INTERACTION OF EVAPORATED PALLADIUM AND TITANIUM FILMS WITH SINGLE-CRYSTAL SILICON = INTERACTION DE COUCHES MINCES EVAPOREES DE PD ET TI AVEC SI MONOCRISTALLINFINSTAD TG; NICOLET MA.1980; THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1980; VOL. 68; NO 2; PP. 393-405; BIBL. 31 REF.Article