Variation du gradient de concentration du lithium par compensation des semiconducteurs par la méthode de dérive des ionsANDREEV, V. M; EREMIN, V. K; STROKAN, N. B et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 8, pp 1526-1528, issn 0015-3222Article

Application de l'effet électrooptique à l'étude de la région de charge d'espace des structures p-nANDREEV, V. M; EREMIN, V. K; STROKAN, N. B et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 7, pp 1234-1238, issn 0015-3222Article

Forme des raies et résolution des détecteurs de rayonnement lors de la spectrométrie d'impulsions de courantEREMIN, V. K; STROKAN, N. B; CHIKALOVA-LUZINA, O. P et al.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1985, Vol 55, Num 6, pp 1130-1135, issn 0044-4642Article

False peaks in DLTS spectra of planar diode structuresEREMIN, V. K; IVANOV, A. M; STROKAN, N. B et al.Soviet physics. Semiconductors. 1992, Vol 26, Num 3, pp 269-271, issn 0038-5700Article

Courant transitoire limité par la charge d'espace dans des structures incomplètement appauvries à contacts redresseursANDREEV, V. M; EREMIN, V. K; STROKAN, N. B et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 6, pp 1096-1100, issn 0015-3222Article

Influence de la température sur la capture des porteurs par les amas d'impuretés localisésEREMIN, V. K; STROKAN, N. B; CHIKALOVA-LUZINA, O. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 2, pp 350-353, issn 0015-3222Article

Capture des porteurs de charge par des amas d'impuretés localisés dans le champ électrique d'une jonction p-nEREMIN, V. K; STROKAN, N. B; CHIKALOVA-LUZINA, O. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 1, pp 70-76, issn 0015-3222Article

Charge carrier removal rates in n-type silicon and silicon carbide subjected to electron and proton irradiationKOZLOVSKI, V. V; EMTSEV, V. V; IVANOV, A. M et al.Physica. B, Condensed matter. 2009, Vol 404, Num 23-24, pp 4752-4754, issn 0921-4526, 3 p.Conference Paper

Characteristic features of the generation current in α-irradiated p+-n junctions made from high-resitivity siliconVERBITSKAYA, E. M; EREMIN, V. K; IVANOV, A. M et al.Semiconductors (Woodbury, N.Y.). 1993, Vol 27, Num 2, pp 115-119, issn 1063-7826Article

Deep levels of thermal defects in high-resistivity ultrapure n-type siliconVERBITSKAYA, E. M; EREMIN, V. K; IVANOV, A. M et al.Soviet physics. Semiconductors. 1992, Vol 26, Num 11, pp 1101-1106, issn 0038-5700Article

Radiation hardness of SiC based ions detectors for influence of the relative protonsIVANOV, A. M; STROKAN, N. B; DAVYDOV, D. V et al.Applied surface science. 2001, Vol 184, Num 1-4, pp 431-436, issn 0169-4332Conference Paper

Contribution des caractéristiques de recombinaison du silicium au pouvoir de résolution des détecteurs de particules à courte trajectoireVERBITSKAYA, E. M; EREMIN, V. K; MALYARENKO, A. M et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 10, pp 1883-1887, issn 0015-3222Article

Détermination du profil de concentration du lithium lors de son déplacement dans le silicium d'après des mesures de capacitéANDREEV, V. M; EREMIN, V. K; STROKAN, N. B et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 11, pp 2039-2042, issn 0015-3222Article

Precision semiconductor spectrometry of ionsVERBITSKAYA, E. M; EREMIN, V. K; MALYARENKO, A. M et al.Semiconductors (Woodbury, N.Y.). 1993, Vol 27, Num 11-12, pp 1127-1136, issn 1063-7826Article

Problem of the spectrum of deep created by α particles in silicon radiation detectorsVERBITSKAYA, E. M; EREMIN, V. K; IVANOV, A. M et al.Soviet physics. Semiconductors. 1991, Vol 25, Num 5, pp 516-519, issn 0038-5700Article

Ionisation par chocs dans des jonctions p+-n abruptes lors de la focalisation dynamique du champ électrique par la trace d'une particule ionisanteVERBITSKAYA, E. M; EREMIN, V. K; ISMAILOV, KH. KH et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 8, pp 1388-1393, issn 0015-3222Article