LA COMMANDE PAR CHAMP DE COMMUTATION A L'AIDE DE STRUCTURES HOMOGENES MULTIPLESMEL'NIKOV MS.1973; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., GEOD. AEROFOTOS'EMKA; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 6; PP. 634-639; BIBL. 5 REF.Article

SUR LE MECANISME POSSIBLE DES PHENOMENES DE DEGRADATION DANS LES STRUCTURES MNOSAGAFONOV AI; PLOTNIKOV AF; SELEZNEV VN et al.1981; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1981; VOL. 10; NO 2; PP. 127-131; BIBL. 4 REF.Article

MOS PROPERTIES1978; REV. PHYS. APPL.; FRA; DA. 1978; VOL. 13; NO 12; PP. 837-843; ABS. FRE; BIBL. DISSEM.Conference Paper

ETUDE DU MECANISME DE RECHARGE DES PIEGES DANS UNE STRUCTURE MNOSPLOTNIKOV AF; SELEZNEV VN; FERCHEV GP et al.1976; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 5; NO 2; PP. 132-137; BIBL. 6 REF.Article

MESURE DES VARIATIONS DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES D'UNE COUCHE MINCE EN AL₂O₃ DANS UNE STRUCTURE MAS DANS LA DIRECTION PERPENDICULAIRE A LA COUCHE MINCEKOMIYA Y; TARUI Y; FUJISHIRO T et al.1976; BULL. ELECTROTECH. LAB.; JAP.; DA. 1976; VOL. 40; NO 4-5; PP. 298-301; ABS. ANGL.; BIBL. 6 REF.Article

SPURIOUS SIGNALS GENERATED BY ELECTRON TUNNELING ON LARGE REFLECTOR ANTENNAS. = SIGNAUX PARASITES PRODUITS PAR EFFET TUNNEL DES ELECTRONS SUR LES GRANDES ANTENNES A REFLECTEURSHIGA WH.1975; PROC. I.E.E.E.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 63; NO 2; PP. 306-313; BIBL. 10 REF.Article

EFFET DE COMMUTATION DU TYPE S DANS LES SYSTEMES TUNNEL: SEMICONDUCTEUR - DIELECTRIQUE - SEMICONDUCTEUR DOPES A LA NAPHTALENEIGNAT'EV OM.1975; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 4; NO 3; PP. 254-257; BIBL. 12 REF.Article

ETUDE DE LA STRUCTURE REELLE DU SYSTEME AL-SIN₄-AL FORMEBURDOVITSIN VA; GALANSKIJ VL; ZAMOZHSKIJ VD et al.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 12; PP. 71-73; H.T. 2; BIBL. 5 REF.Article

RECENT PROGRESS IN MNOS MEMORY TECHNOLOGY.KENDALL JT.1974; MICROELECTRON. AND RELIABIL.; G.B.; DA. 1974; VOL. 13; NO 5; PP. 413-414; BIBL. 3 REF.; (SEMINEX SEMIN.; LONDON; 1974)Conference Paper

RESOLUTION OF ELECTROOPTIC LIGHT VALVES.ROACH WR.1974; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 21; NO 8; PP. 453-459; BIBL. 15 REF.Article

IMPACT IONIZATION CURRENT IN MOS DEVICESLATTIN WW; RUTLEDGE JL.1973; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1973; VOL. 16; NO 9; PP. 1043-1046; BIBL. 12 REF.Serial Issue

SWITCHING MECHANISM IN THIN-OXIDE MNOS DEVICESGORDON N; JOHNSON WC.1973; I.E.E.E. TRANS. ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 20; NO 3; PP. 253-256; BIBL. 9 REF.Serial Issue

VARIABLE CAPACITANCE MIS MICROSTRIP LINES = LIGNES A MICROBANDES MIS A CAPACITANCE VARIABLEGUNTHER U; VOGES E.1973; ARCH. ELEKTRON. UBERTRAG.-TECH.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 27; NO 3; PP. 131-139; ABS. ALLEM.; BIBL. 26 REF.Serial Issue

FORMATION DE LA CHARGE DANS LE SIO₂ LORS DE L'IRRADIATION D'UNE STRUCTURE MOS DANS UN REACTEURPATRIKEEV LN; PODLEPETSKIJ BI; POPOV VD et al.1973; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 2; NO 1; PP. 65-67; BIBL. 9 REF.Serial Issue

SUPERCONDUCTING TRANSITION TEMPERATURE OF SN-PDNI SANDWICHSATO M.1972; J. PHYS. SOC. JAP.; JAP.; DA. 1972; VOL. 33; NO 6; PP. 1722; BIBL. 5 REF.Serial Issue

PROCESSUS TRANSITOIRES DANS LES STRUCTURES M-D-M A BASE DE VERRE DU SYSTEME V₂O₅-P₂O₅KALYGINA VM; GAMAN VI.1972; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 15; NO 8; PP. 31-35; BIBL. 3 REF.Serial Issue

A MECHANISM FOR ENDURANCE FAILURE IN METAL-NITRIDE-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURESPRYOR RW.1981; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1981; VOL. 52; NO 5; PP. 3703-3704; BIBL. 6 REF.Article

EFFET PHOTO-ELECTRIQUE DANS LES CELLULES SANDWICHES MULTICOUCHES RENFERMANT DE LA PHTALOCYANINEILATOVSKIJ VA; DMITRIEV IB; KOMISSAROV GG et al.1980; Z. FIZ. HIM.; ISSN 0044-4537; SUN; DA. 1980; VOL. 54; NO 5; PP. 1219-1222; BIBL. 4 REF.Article

ETUDE DE LA FIABILITE DU DIELECTRIQUE-PORTE DES STRUCTURES METAL-DIELECTRIQUE-SEMICONDUCTEURLASHEVSKIJ RA; FILARETOV GA; SHAPIRO LA et al.1980; MIKROELEKTRONIKA; SUN; DA. 1980; VOL. 9; NO 4; PP. 347-354; BIBL. 12 REF.Article

FABRICATION-RELATED EFFECTS IN METAL-ZNO-SIO₂-SI STRUCTURES.CORNELL ME; ELLIOTT JK; GUNSHOR RL et al.1977; APPL. PHYS. LETTERS; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 31; NO 9; PP. 560-562; BIBL. 8 REF.Article

MNOS DENSITY PARAMETERS.BREWER JE.1977; I.E.E.E. TRANS-ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 24; NO 5; PP. 618-625; BIBL. 9 REF.Article

PSEUDOSTABLE MNOS STRUCTURES.KASPRZAK LA; GAIND AK; HORNUNG A et al.1977; J. ELECTROCHEM. SOC.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 124; NO 10; PP. 1631-1634; BIBL. 11 REF.Article

EXACT CAPACITANCE OF A LOSSLESS MOS CAPACITOR.MCNUTT MJ; SAH CT.1976; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1976; VOL. 19; NO 3; PP. 255-257; BIBL. 14 REF.Article

HYDROGEN CONTENT AND ANNEALING OF MEMORY QUALITY SILICON-OXYNITRIDE FILMS.STEIN HJ.1976; J. ELECTRON. MATER.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 5; NO 2; PP. 161-177; BIBL. 19 REF.Article

HYDROGEN-SENSITIVE PALLADIUM GATE MOS CAPACITORS.STEELE MC; HILE JW; MACLVER BA et al.1976; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 47; NO 6; PP. 2537-2538; BIBL. 4 REF.Article