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NOISE IN NEAR-BALLISTIC N+NN+ AND N+PN+ GALLIUM ARSENIDE SUBMICRON DIODESSCHMIDT RR; BOSMAN G; VAN VLIET CM et al.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 5; PP. 437-444; BIBL. 24 REF.Article

HETEROSTRUCTURES DU SYSTEME AL-GA-AS A LOCALISATION DES REGIONS DE PASSAGE DU COURANTALFEROV ZH I; ANDREEV VM; EGOROV BV et al.1977; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 47; NO 8; PP. 1782-1790; BIBL. 14 REF.Article

DYNAMIQUE DU CHAMP ELECTRIQUE DANS LES COUCHES DE BASE DES STRUCTURES P-N-P-N LORS DU BRANCHEMENT PAR LE COURANT DE COMMANDEAYAZYAN R EH; GREKHOV IV; SHENDEREJ SV et al.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 11; PP. 2092-2095; BIBL. 3 REF.Article

EXTINCTION PAR LE CHAMP DE LA CONDUCTIVITE SUPERFICIELLE ET CONDUCTIVITE PAR SAUTS BIDIMENSIONNELLE DANS INAS PTIMCHENKO IN; SMIRNOVA NN; STUS NM et al.1983; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1983; VOL. 17; NO 3; PP. 422-425; BIBL. 10 REF.Article

PROPOSED DISCRIMINATION BETWEEN 1/F NOISE SOURCE IN TRANSISTORSVAN DER ZIEL A.1982; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1982; VOL. 25; NO 2; PP. 141-143; BIBL. 7 REF.Article

PUNCH-THROUGH CURRENTS IN P+NP+ AND N+PN+ SANDWICH STRUCTURES. I: INTRODUCTION AND BASIC CALCULATIONSLOHSTROH J; KOOMEN JJM; VAN ZANTEN AT et al.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 9; PP. 805-814; BIBL. 48 REF.Article

TRANSPORT DES PORTEURS DANS UNE STRUCTURE P-I-P A HAUT NIVEAU D'INJECTIONPALKO EH V; UVAROV AI.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 12; NO 4; PP. 791-797; BIBL. 4 REF.Article

00 V AND 5000 A PEAK REVERSE BLOCKING DIODE THYRISTOR.CHU CK; JOHNSON JE; BREWSTER JB et al.1977; JAP. J. APPL. PHYS.; JAP.; DA. 1977; VOL. 16; SUPPL. 1; PP. 537-540; BIBL. 6 REF.; (CONF. SOLID STATE DEVICES. 8. PROC.; TOKYO; 1976)Conference Paper

ENCLENCHEMENT DES STRUCTURES P-N-P-N DANS LE CAS DE FORTES TENSIONS ET DE GRANDE DENSITE DE COURANTKUZ'MIN VA; PAVLIK V YA; RODOV VI et al.1975; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 20; NO 7; PP. 1457-1465; BIBL. 11 REF.Article

RESISTANCE DIFFERENTIELLE NEGATIVE D'ORIGINE THERMIQUE DANS UNE STRUCTURE P+-S-N+ A DENSITE DE COURANT DIRECT ELEVEEGREKHOV IV; OTBLESK AE; POPOVA MV et al.1974; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 8; NO 10; PP. 1942-1946; BIBL. 14 REF.Article

THEORIE DES STRUCTURES A COUPLAGE OPTIQUE REALISEES A L'AIDE DE SEMICONDUCTEURS DOPES EN PROFONDEURISAMUKHAMEDOVA MS; KARAGEORGIJ ALKALAEV PM; LEJDERMAN A YU et al.1974; IZVEST. AKAD. NAUK UZ. S.S.R., FIZ.-MAT. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 18; NO 4; PP. 35-38; ABS. OUZB.; BIBL. 6 REF.Article

CONCENTRATION PROFILING FOR HIGH VOLTAGE P+-N-N+ DIODESSUNDERSINGH VP; GHATOL AA.1983; INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS THEORETICAL & EXPERIMENTAL; ISSN 0020-7217; GBR; DA. 1983; VOL. 54; NO 1; PP. 127-137; BIBL. 11 REF.Article

NEUE ULTRAKURZZEIT-SPEICHERSCHALTIODEN MIT N+PP+-STRUKTUR = NOUVELLES DIODES A RECUPERATION EN ECHELON PRESENTANT UN TEMPS DE RECUPERATION TRES COURT ET UNE STRUCTURE N+PP+PFEIFFER W; ZHANG ZHIZHONG; ZHOU XUAN et al.1982; AEUE, ARCH. ELEKTRON. UEBERTRAGUNGSTECH.; ISSN 0001-1096; DEU; DA. 1982; VOL. 36; NO 1; PP. 39-42; ABS. ENG; BIBL. 4 REF.Article

PUNCH-THROUGH CURRENTS IN P+NP+ AND N+PN+ SANDWICH STRUCTURES. II: GENERAL LOW-INJECTION THEORY AND MEASUREMENTSLOHSTROH J; KOOMEN JJM; VAN ZANTEN AT et al.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 9; PP. 815-820; BIBL. 7 REF.Article

MESURE DES PARAMETRES DE DECLENCHEMENT DES STRUCTURES P.N.P.N. PAR UNE METHODE DE SONDE OPTIQUERODNYJ PA; YAKERSON LS.1976; IZMERITEL TEKH.; S.S.S.R.; DA. 1976; NO 5; PP. 56-58; BIBL. 7 REF.Article

MICROPROBE TECHNIQUE FOR DETERMINING THE THICKNESS OF THIN METAL FILMS IN MULTILAYERED STRUCTURES.DIGIACOMO G.1975; THIN SOLID FILMS; NETHERL.; DA. 1975; VOL. 26; NO 2; PP. 311-320; BIBL. 5 REF.Article

THEORIE NON LINEAIRE DU PROCESSUS DE COMMUTATION DE STRUCTURE PNPNTOGATOV VV.1975; ELEKTROTECH. CAS.; CESKOSL.; DA. 1975; VOL. 26; NO 7; PP. 540-548; ABS. SLOVAQUE ALLEM. ANGL.; BIBL. 1 REF.Article

MAGNETIC SENSITIVITY OF A DISTRIBUTED SI PLANAR PNPN STRUCTURE SUPPORTING A CONTROLLED CURRENT FILAMENT.BARTELINK DJ; PERSKY G.1974; APPL. PHYS. LETTERS; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 25; NO 10; PP. 590-592; BIBL. 4 REF.Article

DIFFUSION EFFECTS AND "BALLISTIC TRANSPORT"COOK RK; FREY J.1981; IEEE TRANS. ELECTRON DEVICES; ISSN 0018-9383; USA; DA. 1981; VOL. 28; NO 8; PP. 951-953; BIBL. 9 REF.Article

SOBRE EL COMPORTAMIENTO TERMOCAPACITIVO DE LAS ESTRUCTURAS P+-P-N+ = SUR LE COMPORTEMENT THERMOCAPACITIF DE LA STRUCTURE P+PN+PARDO D; ORDONEZ V; BAILON L et al.1978; AN. FIS.; ESP; DA. 1978; VOL. 74; NO 3-4; PP. 224-227; ABS. ENG; BIBL. 12 REF.Article

SUR LES PROCESSUS PHYSIQUES DANS LA STRUCTURE PNPN LORS D'UN DECLENCHEMENT COMBINEAYAZYAN R EH; GREKHOV IV; LINIJCHUK IA et al.1978; RADIOTEKH. I ELEKTRON.; SUN; DA. 1978; VOL. 23; NO 8; PP. 1692-1698; BIBL. 11 REF.Article

A NEW CLASS OF SOLAR CELL WITH MULTI-LAYER STRUCTURE.MATSUSHITA T; MAMINE T.1975; IN: INT. ELECTRON DEVICES MEET.; WASHINGTON, D.C.; 1975; NEW YORK; INST. ELECTR. ELECTRON. ENG.; DA. 1975; PP. 353-356; BIBL. 4 REF.Conference Paper

CINETIQUE D'ELECTROLUMINESCENCE ET EFFETS DE "REEMISSION" DANS LES HETEROSTRUCTURES A 3 COUCHES DU SYSTEME GAAS-ALASALFEROV ZH I; ANDREEV VM; GARBUZOV DZ et al.1974; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 8; NO 12; PP. 2350-2354; BIBL. 5 REF.Article

INFLUENCE DE LA STRICTION DU PLASMA ELECTRON-TROU PAR LE CHAMP MAGNETIQUE PROPRE SUR LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION DES STRUCTURES P-N-N+ (EFFET DE PINCEMENTAZIMOV SA; KATULEVSKIJ YU A; MUMINOV RA et al.1974; IZVEST. AKAD. NAUK UZ. S.S.R., FIZ.-MAT. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 18; NO 5; PP. 38-41; BIBL. 6 REF.Article

BARITT-DIODE LARGE-SIGNAL PERFORMANCE.STEWART JAC.1974; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1974; VOL. 10; NO 10; PP. 193-194; BIBL. 5 REF.Article

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