DOTIERUNGSEIGENSCHAFTEN VON PB UND GE IN SB₂TE₃ UND BI₂TE₃ = PROPRIETES DE DOPAGE DE PB ET GE DANS SB₂TE₃ ET BI₂TE₃SUESSMANN H; PROEHL U.1979; WISSEUSCH. Z. MARTIN-LUTHER-UNIV. HALLE-WITTENBERG, MATH.-NATURWISSEUSCH. REIHE; DDR; DA. 1979; VOL. 28; NO 3; PP. 113-126; BIBL. 24 REF.Article

ZUR ANISOTROPIE DER THERMOELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN VON P-SB_XBI_2-XTE₃ = ANISOTROPIE DES PROPRIETES THERMOELECTRIQUES DE SI_XBI_2-XTE₃-PSUESSMANN H; HEILIGER W.1979; PHYS. STATUS SOLIDI, A; DDR; DA. 1979; VOL. 51; NO 2; PP. K201-K206; BIBL. 17 REF.Article

Seebeck coefficient and electrical conductivity in p-(Bi_1-xSb_x)₂Te₃ at room temperature = Seebeck-Koeffizient und elektrische Leitfaehigkeit in p-(Bi_1-xSb_x)₂Te₃ bei RaumtemperaturSUESSMANN, H; HEILIGER, W.Physica status solidi. A. Applied research. 1983, Vol 80, Num 2, pp 535-539, issn 0031-8965Article

Doping properties of Pb and Ge in Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃ = Dotierungseigenschaften von Pb und Ge in Bi₂Te₃ und Sb₂Te₃SUESSMANN, H; PRIEMUTH, A; PROEHL, U et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 82, Num 2, pp 561-567, issn 0031-8965Article