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Investigation of illuminance-voltage characteristics for thin-film p-CdTe-n-CdTe-n-CdS structuresMIRSAGATOV, S. A; SABIROV, K.Physica status solidi. A. Applied research. 1985, Vol 90, Num 2, pp K219-K223, issn 0031-8965Article

EFFET DE MEMOIRE CONDITIONNE PAR LA CONDUCTIVITE RESIDUELLEAVAK'YANTS GM; DOLMAZYAN SG.1975; AKAD. NAUK ARM. S.S.R., DOKL.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 60; NO 2; PP. 82-89; ABS. ARM.; BIBL. 5 REF.Article

EFFECTIVE CARRIER LIFETIME AND BASE-WIDENING IN SHORT P+ NN+-DIODES.DREWS WD; KESEL G.1975; APPL. PHYS.; GERM.; DA. 1975; VOL. 6; NO 3; PP. 345-351; BIBL. 6 REF.Article

Détermination des paramètres électrophysiques des domaines fortement dopés des structures p+-n-n+ à partir des valeurs des coefficients d'injection des jonctions émettricesGRIGOR'EV, B. I; TOGATOV, V. V.Radiotehnika i èlektronika. 1984, Vol 29, Num 9, pp 1810-1813, issn 0033-8494Article

Localisation non-stationnaire de la chaleur et du courant dans une diode au silicium polarisée en sens directGREKHOV, I. V; OTBLESK, A. E.Žurnal tehničeskoj fiziki. 1984, Vol 54, Num 9, pp 1787-1792, issn 0044-4642Article

Bruits dans les structures à double injection à partir d'un semiconducteur compensé par des centres profonds monochargésARUTYUNYAN, V. M; GASPARYAN, F. V; MELKONYAN, S. V et al.Radiotehnika i èlektronika. 1987, Vol 32, Num 2, pp 416-426, issn 0033-8494Article

Processus non stationnaires d'accumulation et de dissipation du plasma d'électrons-trous dans les semiconducteurs dans des champs électriques intensesEFANOV, Y. M; KARDO-SYSOEV, A. F; SMIRNOVA, I. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 4, pp 620-625, issn 0015-3222Article

Effet des inhomogénéités de dopage de la base sur l'intensité du champ électrique dans les jonctions p+-n-n+ polarisées en inverse avec pincementKYUREGYAN, A. S; SHLYGIN, P. N.Radiotehnika i èlektronika. 1988, Vol 33, Num 9, pp 1943-1946, issn 0033-8494Article

Etude de l'influence de l'épaisseur de la région n pour l'optimisation de la tenue en tension des structures p-n-n+ = Effects of n region width on the breakdown voltage optimization of p-n-n+ devicesBOISSON, V; LE HELLEY, M; CHANTE, J. P et al.Revue de physique appliquée. 1987, Vol 22, Num 7, pp 473-476, issn 0035-1687Article

CAPACITE D'UNE STRUCTURE P-N ABRUPTEKONSTANTINOV OV; MEZRIN OA.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 1; PP. 68-76; BIBL. 5 REF.Article

Optical triggering of a trapped plasmaGOTTSTEIN, H.Electronics Letters. 1984, Vol 20, Num 4, pp 149-150, issn 0013-5194Article

THEORIE DE L'INJECTION DOUBLE DANS LES STRUCTURES AVEC BASE A BANDE INTERDITE VARIABLEARUTYUNYAN VM; DARBASYAN AT.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 11; PP. 1938-1941; BIBL. 6 REF.Article

ETUDE DES POSSIBILITES DES TRANSISTORS DE PUISSANCE SILICIUM A COUCHES EPITAXIALES MULTIPLESLAUVRAY H; ROGER B.1972; DGRST-70 72 325; H.T. R.,; DA. 1972; PP. (81 P.); H.T. 1; BIBL. 1 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: C.C.M.). 2 FASCReport

Caractéristiques courant-tension de structures à largeur de bande interdite variable avec double injectionARUTYUNYAN, V. M; DARBASYAN, A. T.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 5, pp 864-868, issn 0015-3222Article

ETUDE DE LA RECOMBINAISON AUGER DES STRUCTURES A COUCHES MULTIPLES EN SILICIUM POUR UNE DENSITE DE COURANT ELEVEEKUZ'MIN VA; MNATSAKANOV TT; POMORTSEVA LI et al.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 6; PP. 988-992; BIBL. 18 REF.Article

Particularités de la caractéristique courant-tension lors d'une injection double dans les structures multicouches au silicium avec une base étroiteMNATSAKANOV, T. T; TUGUSHEVA, T. E.Radiotehnika i èlektronika. 1985, Vol 30, Num 1, pp 127-132, issn 0033-8494Article

INFLUENCE DE LA RECOMBINAISON AUGER SUR LA CARACTERISTIQUE V-A DES STRUCTURES DE SILICIUM A COUCHES MULTIPLES A FORTE DENSITE DE COURANTMNATSAKANOV TT; POMORTSEVA LI.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 5; PP. 798-804; BIBL. 17 REF.Article

LOW-LOSS GAAS P+N-N+ THREE-DIMENSIONAL OPTICAL WAVEGUIDES.LEONBERGER FJ; DONNELLY JP; BOZLER CO et al.1976; APPL. PHYS. LETTERS; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 28; NO 10; PP. 616-619; BIBL. 11 REF.Article

AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGE OF MULTIPLE EPITAXIAL PN JUNCTIONSSUNSHINE RA; ASSOUR J.1973; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1973; VOL. 16; NO 4; PP. 459-466; BIBL. 8 REF.Serial Issue

Computer modeling and comparison of different rectifier (M-S, M-S-M, p-n-n+)MASSZI, F; TOVE, P.-A; BOHLIN, K et al.I.E.E.E. transactions on electron devices. 1986, Vol 33, Num 4, pp 469-476, issn 0018-9383Article

NEGATIVE RESISTANCE AND CURRENT FILAMENT IN AVALANCHE DIODESFINEBERG VI; KONAKOVA RV; SHCHERBINA LV et al.1981; PHYSICA STATUS SOLIDI. (A). APPLIED RESEARCH; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1981; VOL. 68; NO 1; PP. 39-43; ABS. GER; BIBL. 30 REF.Article

MICROELECTRONICSBURKE BE; COHEN RA; CLOUGH TF et al.1972; SOLID STATE RES.; U.S.A.; DA. 1972; NO 4; PP. 47-54; BIBL. 5 REF.Serial Issue

Caractéristiques électriques des structures épitaxiques p+-n-n+ à base de polytype 6H du carbure de siliciumANIKIN, M. M; LEBEDEV, A. A; POPOV, I. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 2, pp 298-300, issn 0015-3222Article

Coefficients d'injection et caractéristique courant-tension de dispositifs à semiconducteurs avec des jonctions p-n par diffusionDERMENZHI, P. G; KOVTUN, V. I.Radiotehnika i èlektronika. 1986, Vol 31, Num 2, pp 376-382, issn 0033-8494Article

Modulation de la conductivité d'un semiconducteur par injection de porteurs de charge à partir d'une jonction p-n imparfaiteAVAGYAN, A. KH; GORBATYJ, I. N.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 11, pp 2009-2012, issn 0015-3222Article

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