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kw.\*:("TECHNOLOGIE MICROBANDE")

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FILTRES PASSE-BANDE EXTRA-PLATS THFGOUREVITCH J.1980; TOUTE ELECTRON.; FRA; DA. 1980; NO 452; PP. 39-43Article

HOECHSTFREQUENZ-HYBRIDINTEGRATION, GRUNDLAGE DES FORTSCHRITTS IN DER HOECHSTFREQUENZGERAETETECHNIK. = L'INTEGRATION HYBRIDE EN HYPERFREQUENCE, SOURCE DE PROGRES DANS LA TECHNIQUE DES ONDES ULTRACOURTESKUEHN R.1975; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 25; NO 12; PP. 445-451; ABS. RUSSE ANGL. FR.; BIBL. 7 REF.Article

MICROWAVE TRANSISTOR OSCILLATORS ARE COST COMPETITIVE AND EXCELLENT PERFORMERS.HODOWANEC G.1974; MICROWAVE J.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 17; NO 6; PP. 39-62 (5P.); BIBL. 7 REF.Article

HOECHSTFREQUENZEIGENSCHAFTEN EINES GAAS-MESFET'S IN STREIFENLEITUNGSTECHNIK = PROPR. AUX HYPERFREQUENCES D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A BARRIERE DE SCHOTTKY A GAAS REALISE SUIVANT LA TECHNIQUE DES LIGNES MICROBANDESJAHNCKE J.1973; NACHR.-TECH. Z.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 26; NO 5; PP. 193-199 (6 P.); BIBL. 7 REF.Serial Issue

INVESTIGATION OF CARRIER SWEEPOUT IN OPTOELECTRONIC MICROSTRIP DEVICES USING SINGLE-CRYSTAL SILICON SUBSTRATESPLATTE W; STRAUSS F.1978; ARCH. ELEKTRON. OBERTRAG.-TECH.; DEU; DA. 1978; VOL. 32; NO 12; PP. 499-501; ABS. GER; BIBL. 8 REF.Article

TECHNOLOGIES MODERNES POUR APPAREILS DE TELECOMMUNICATION.TIESNES M.1977; REV. BROWN BOVERI; SUISSE; DA. 1977; VOL. 64; NO 8; PP. 474-477Article

AMPLIFICATEUR FAIBLE BRUIT BANDE "S" A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMPMOREAU A; HOANG VS.1978; REV. TECH. THOMSON-C.S.F.; FRA; DA. 1978; VOL. 10; NO 2; PP. 297-325; ABS. ENG/GER; BIBL. 11 REF.Article

TRANSISTORISIERTER LEISTUNGSVERSTAERLER FUER 1,2 BIS 1,4 GHZ = AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A TRANSISTORS POUR FREQUENCES DE 1,2 A 1,4 GHZFUCHSENTHALER K.1978; NACHR.-TECH. Z.; DEU; DA. 1978; VOL. 31; NO 10; PP. 730-732; ABS. ENGArticle

ANALYSIS OF SILICON SOLAR CELLS WITH STRIPE GEOMETRY JUNCTIONS.HU C; EDELBERG J.1977; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 20; NO 2; PP. 119-123; BIBL. 8 REF.Article

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