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kw.\*:("TEMPERATURE PORTEUR CHARGE")

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DETERMINATION OF ELECTRON TEMPERATURES AND OF HOT ELECTRON DISTRIBUTION FUNCTIONS IN SEMICONDUCTORS.BAUER G.1975; SPRINGER TRACTS MOD. PHYS.; GERM.; DA. 1975; VOL. 74; PP. 1-106; BIBL. 6 P.Article

INSTABILITE D'UNE ONDE D'ECHANGE DE CHARGE SPATIALE DANS LES SEMICONDUCTEURS COMPENSES A DEUX TYPES DE PIEGESFUKS BI.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 7; PP. 1293-1299; BIBL. 6 REF.Article

TEMPERATURE DEPENDENCE OF TRANSPORT PROPERTIES IN GAAS.CHANDRA SHEKHAR; SHARMA SK.1976; INDIAN J. PURE APPL. PHYS.; INDIA; DA. 1976; VOL. 14; NO 3; PP. 177-179; BIBL. 5 REF.Article

ETUDE EXPERIMENTALE DU PROCESSUS DE RELAXATION D'ENERGIE DANS GE P LORS DE L'EXCITATION INTRABANDE PAR LA LUMIEREAGAFONOV VG; VALOV PM; RYVKIN BS et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 5; PP. 867-871; BIBL. 8 REF.Article

IONISATION PAR CHOCS DES ETATS EXCITES D'IMPURETES PEU PROFONDES ET ECHAUFFEMENT DU GAZ D'ELECTRONS DANS LE GERMANIUM ET LE SILICIUMKURKOVA EA; SIDOROV VI.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 7; PP. 1286-1292; BIBL. 9 REF.Article

LE PROBLEME DE BENARD DES ELECTRONS CHAUDS DANS LES SEMICONDUCTEURSBONCH BRUEVICH VL.1974; ZH. EKSPER. TEOR. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 67; NO 6; PP. 2204-2214; ABS. ANGL.; BIBL. 18 REF.Article

TECHNIQUE D'ETUDE DE L'ECHAUFFEMENT DES PORTEURS DANS LA REGION DES ELECTRONS TIEDESDENIS VI; KARUZHA YA A; MARTUNAS ZI et al.1972; LITOV. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 12; NO 6; PP. 953-960; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 7 REF.Serial Issue

THE EFFECT OF CARRIER TEMPERATURE ON TRANSVERSE PHONON-HELICON INTERACTION IN PIEZOELECTRIC SEMICONDUCTORS.RAM CHANDRA; VERMA JS.1977; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 42; NO 2; PP. 181-184; BIBL. 5 REF.Article

CARRIER TEMPERATURE EFFECTS AND ENERGY TRANSFERS IN NON-RADIATIVE RECOMBINATION.PARROTT JE.1976; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1976; VOL. 19; NO 3; PP. 229-233; BIBL. 7 REF.Article

ONSAGER MECHANISM OF PHOTOGENERATION IN AMORPHOUS SELENIUM.PAI DM; ENCK RC.1975; PHYS. REV.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 11; NO 12; PP. 5163-5174; BIBL. 25 REF.Article

ECHAUFFEMENT ET REFROIDISSEMENT DU GAZ D'ELECTRONS PAR LE RAYONNEMENT ELECTROMAGNETIQUE DANS DES CHAMPS MAGNETIQUES QUANTIFIANTS.RYZHIJ VI.1973; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 15; NO 2; PP. 486-489; BIBL. 8 REF.Serial Issue

STRUCTURE DE L'IONOSPHERE EQUATORIALE LE JOURDEMINOVA GF.1982; GEOMAGN. AERON.; ISSN 0016-7940; SUN; DA. 1982; VOL. 22; NO 1; PP. 28-32; BIBL. 14 REF.Article

DETAILED CALCULATION OF ENERGY RELAXATION TIME OF HOT ELECTRONS IN INSB.KOBAYASHI T.1977; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 48; NO 7; PP. 3154-3155; BIBL. 5 REF.Article

MODULATION OF FUNDAMENTAL ABSORPTION BY FREE CARRIER HEATING IN DEGENERATE N-PBTEBRUECKER H; JANTSCH W.1981; SOLID STATE COMMUN.; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1981; VOL. 37; NO 1; PP. 83-85; BIBL. 11 REF.Article

COEFFICIENTS CINETIQUES, EN TENANT COMPTE DE L'INTERFERENCE NON LINEAIRE DES CHAMPS ELECTROMAGNETIQUESSTREKALOV VN.1979; FIZ. TVERD. TELA; ISSN 0367-3294; SUN; DA. 1979; VOL. 21; NO 11; PP. 3274-3278; BIBL. 2 REF.Article

INSTABILITE D'UN PLASMA D'ELECTRONS-TROUS QUASI-NEUTRE DANS UN CHAMP ELECTRIQUE ECHAUFFANTSABLIKOV VA.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 12; PP. 2309-2318; BIBL. 9 REF.Article

PROPAGATION OF HIGH POWER HELICONS IN N-INDIUM ANTIMONIDE CRYSTAL.GUHA S; GHOSH S.1977; J. PHYS. CHEM. SOLIDS; G.B.; DA. 1977; VOL. 38; NO 12; PP. 1377-1382; BIBL. 14 REF.Article

RELAXATION DE L'ENERGIE ET ECHAUFFEMENT DES MAGNONS DANS LES SEMICONDUCTEURS FERROMAGNETIQUESKORENBLIT I YA; TANKHILEVICH BG.1976; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 18; NO 1; PP. 62-71; BIBL. 12 REF.Article

RELAXATION DE L'ENERGIE ET PROCESSUS DE CHAUFFAGE ET DE REFROIDISSEMENT DES PORTEURS LORS DE L'ABSORPTION OPTIQUE INTRABANDE DANS LES SEMICONDUCTEURSYASSIEVICH IN; YAROSHETSKIJ ID.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 5; PP. 857-866; BIBL. 7 REF.Article

INFLUENCE D'UNE IRRADIATION ELECTRONIQUE SUR L'ECHAUFFEMENT DES PORTEURS PAR LE CHAMP ELECTRIQUE DANS DES MONOCRISTAUX DE GE1-XSIXABBASOV SH M; ABDINOV A SH; ABIEV AK et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 10; PP. 1989-1993; BIBL. 9 REF.Article

INFLUENCE OF THE CAPTURE OF CHARGE CARRIERS UPON THE I-U CURVES OF HOT ELECTRON SEMICONDUCTORS WITH ACCOUNT OF PHONON HEATINGGEGECHKORI TO; KACHLISHVILI ZS.1979; PHYS. STATUS SOLIDI, A; DDR; DA. 1979; VOL. 51; NO 2; PP. 333-336; ABS. GER; BIBL. 8 REF.Article

ECHAUFFEMENT DES ELECTRONS PAR UN CHAMP ELECTRIQUE NON UNIFORME DANS GEASHMONTAS S.1976; LITOV. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 16; NO 3; PP. 407-416; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 11 REF.Article

LIGHT SCATTERING FROM OPTICALLY EXCITED ELECTRON-HOLE PLASMAS IN GAASROMANEK KM; NATHER H; GOEBEL EO et al.1981; SOLID STATE COMMUN.; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1981; VOL. 39; NO 1; PP. 23-26; BIBL. 12 REF.Article

THE EFFECT OF CARRIER TEMPERATURE ON THE DRIFT INDUCED INSTABILITIES IN SEMICONDUCTOR PLASMAS.RAM CHANDRA.1977; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1977; VOL. 42; NO 5; PP. 511-513; BIBL. 5 REF.Article

ACOUSTOELECTRIC DOMAIN INDUCED TRANSPARENCY IN TELLURIUM AT 11 MU M.MULLER KH; NIMTZ G.1977; APPL. OPT.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 16; NO 11; PP. 2961-2967; BIBL. 36 REF.Article

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