RF RESPONSE DUE TO MAGNETOPLASMA ANISOTROPYTOLUTIS R.1980; PHYS. STATUS SOLIDI(A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 61; NO 1; PP. K47-K49; BIBL. 3 REF.Article

Electrical piezoeffect in semiconducting Bi-Sb alloys due to anisotropy of electron mobilityTOLUTIS, R.Physica status solidi. B. Basic research. 1994, Vol 185, Num 2, pp 439-446, issn 0370-1972Article

NONRECIPROCAL HF SIGNAL TRANSMISSION BY SURFACE HELIUMRUIBYS G; TOLUTIS R.1983; ELECTRONICS LETTERS; ISSN 0013-5194; GBR; DA. 1983; VOL. 19; NO 8; PP. 273; BIBL. 3 REF.Article

The influence of electron scattering on the anisotropy of electrical conductivity in deformed thin Bi and Bi_1-x Sb_x filmsSUTKUS, A; TOLUTIS, R.Physica status solidi. A. Applied research. 1999, Vol 173, Num 2, pp 417-424, issn 0031-8965Article

MANY-VALLEY SEMICONDUCTORS = LES SEMICONDUCTEURS A PLUSIEURS VALLEESDENIS V; KANTSLERIS ZH; MATULENIS A et al.1978; EHLEKTRONY POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; NO 1; 201 P.; ABS. LIT/ENG; BIBL. 137 REF.Serial Issue

Influence d'une traction uniaxiale sur la conductivité électrique et mobilité des électrons dans les alliages semiconducteurs Bi1-xSbxPOZHERA, R. YU; TOLUTIS, R. B.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 8, pp 1507-1509, issn 0015-3222Article

The influence of hydrostatic pressure on the effective concentration and cyclotron mobility of electrons in semiconducting Bi_1-xSb_x alloys = Der Einfluss des hydrostatischen Druckes auf die effektive Konzentration und Zyklotronbeweglichkeit in halbleitenden Bi_1-xSb_x-LegierungenPOZERA, R; SUTKUS, A; TOLUTIS, R et al.Physica status solidi. B. Basic research. 1983, Vol 120, Num 1, pp 165-171, issn 0370-1972Article

Abaissement de l'amortissement des faisceaux d'hélicons gaussiens par comparaison à l'hélicon planYANKAUSKAS, Z. K; TOLUTIS, R. B.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 7, pp 1305-1308, issn 0015-3222Article

Dynamics of resistivity response of La_0.67Ca_0.33MnO₃ films in pulsed high magnetic fieldsBALEVICIUS, S; VENGALIS, B; ANISIMOVAS, F et al.Journal of magnetism and magnetic materials. 2000, Vol 211, Num 1-3, pp 243-247, issn 0304-8853Conference Paper

Onde électromagnétique tourbillonnaire lente s'amortissant faiblement dans les semiconducteursPOZHELA, YU. K; TOLUTIS, R. B; EHBERSONAS, T. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 9, pp 1672-1673, issn 0015-3222Article

Photoconductivité des alliages Bi1-xSbx en IR lointainMAZHEJKA, R; POZHERA, R; SHIRMULIS, EH et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 4, pp 765-767, issn 0015-3222Article

Excitation de faisceaux gaussiens hélicons dans un plasma de solide aimantéPOZHELA, YU. K; TOLUTIS, R. B; YANKAUSKAS, Z. K et al.Izvestiâ vysših učebnyh zavedenij. Radiofizika. 1984, Vol 27, Num 6, pp 788-794, issn 0021-3462Article

Faisceaux gaussiens dans le magnétoplasma de semiconducteursPOZHELA, YU. K; TOLUTIS, R. B; YANKAUSKAS, Z. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 9, pp 1689-1691, issn 0015-3222Article