UN AMPLIFICATEUR A DEUX ETAGES AVEC DIODES IMPATT.WILLING HA.1974; J. TELECOMMUNIC.; SUISSE; DA. 1974; VOL. 41; NO 7; PP. 439-445; BIBL. 4 REF.Article

A TWO-STAGE IMPATT-DIODE AMPLIFIER.WILLING HA.1974; MICROWAVE J.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 17; NO 6; PP. 50-52; BIBL. 3 REF.Article

DESIGN OF BROAD-BAND GAAS FET POWER AMPLIFIERSRAUSCHER C; WILLING HA.1980; IEEE TRANS. MICROWAVE THEORY TECH.; ISSN 0018-9480; USA; DA. 1980; VOL. 28; NO 10; PP. 1054-1059; BIBL. 7 REF.Article

WIDE-BAND GALLIUM ARSENIDE POWER MESFET AMPLIFIERS.NEIDERT RE; WILLING HA.1976; I.E.E.E. TRANS. MICROWAVE THEORY TECH.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 24; NO 6; PP. 342-350; BIBL. 13 REF.Article

MODELLING OF GUNN-DOMAIN EFFECTS IN GAAS M.E.S.F.E.T.S.WILLING HA; DE SANTIS P.1977; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1977; VOL. 13; NO 18; PP. 537-539; BIBL. 4 REF.Article