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Propriétés de l'arséniure d'indium dopé nucléairementKOLIN, M. G; OSVENSKIJ, V. B; RYTOVA, N. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 5, pp 822-827, issn 0015-3222Article
Optimal parameters of epitaxial GaAs1-xPx solid-solution films intended fro pressure sensorsYUROVA, E. S; KARTAVYKH, A. V; TYBULEWICZ, A et al.Soviet physics. Semiconductors. 1991, Vol 25, Num 10, pp 1100-1101, issn 0038-5700Article
Etude des fluctuations de la conductivité électrique du silicium dopé par rayons gammaGRENSHTEJN, P. M; GUCHETL, R. I; YUROVA, E. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 6, pp 1088-1092, issn 0015-3222Article
Propriétés électriques de l'arséniure d'indium bombardé par des neutrons rapidesKOLIN, N. G; OSVENSKIJ, V. B; RYTOVA, N. S et al.Fizika i himiâ obrabotki materialov. 1986, Num 6, pp 3-8, issn 0015-3214Article
Particularités de la formation d'une hétérogénéité de la résistivité dans le silicium dopé par neutronsYUROVA, E. S; FEDOROV, V. V; MOROKHOVETS, M. A et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 5, pp 933-937, issn 0015-3222Article
Propriétés électrophysiques de la solution solide Si-Ge dopée par neutrons du côté des compositions riches en silicium. I. Paramètres électrophysiques et conductivité ε1ZABRODSKJ, A. G; EVSEEV, V. A; KONOPLEVA, R. F et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 11, pp 2042-2051, issn 0015-3222Article
Nature de la formation d'un hétérogénéité dans InSbRYTOVA, N. S; YUROVA, E. S; KEVORKOV, M. N et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 9, pp 1585-1588, issn 0015-3222Article