Influence du champ aléatoire sur l'énergie thermique d'ionisation des impuretés dans les semiconducteurs faiblement dopésZABRODSKIJ, A. G; TIMOFEEV, M. P.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 12, pp 2217-2219, issn 0015-3222Article

Spécificités des propriétés électriques et magnétiques de 6H-SiC<N> du côté isolant d'une transition métal-diélectriqueALEKSEENKO, M. V; VEJNGER, A. I; ZABRODSKIJ, A. G et al.Pis′ma v žurnal èksperimental′noj i teoretičeskoj fiziki. 1984, Vol 39, Num 6, pp 255-258, issn 0370-274XArticle

Influence du niveau de dopage et de compensation sur l'énergie d'activation de la conductivité ε1 de SiC-6H:NALEKSEENKO, M. V; ZABRODSKIJ, A. G; TIMOFEEV, M. P et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 5, pp 810-819, issn 0015-3222Article

Propriétés paramagnétiques et électriques du phosphore, impureté de transmutation dans SiC-6HVEJNGER, A. I; ZABRODSKIJ, A. G; LOMAKINA, G. A et al.Fizika tverdogo tela. 1986, Vol 28, Num 6, pp 1659-1664, issn 0367-3294Article

Conduction par sauts et transition métal-isolant dans les pyropolymères semiconducteursABDURAKHMANOV, U; ZABRODSKIJ, A. G; MAGRUPOV, M. A et al.Fizika tverdogo tela. 1986, Vol 28, Num 12, pp 3680-3686, issn 0367-3294Article