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Méthodes de correction numérique des canaux des radars multicanauxABRAMOVICH, YU. I; KACHUR, V. G; STRUCHEV, V. F et al.Radiotehnika i èlektronika. 1984, Vol 29, Num 8, pp 1544-1550, issn 0033-8494Article

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Modeling and Separate Extraction of Gate-Bias- and Channel-Length-Dependent Intrinsic and Extrinsic Source-Drain Resistances in MOSFETsBAE, Hagyoul; JANG, Jaeman; JA SUN SHIN et al.IEEE electron device letters. 2011, Vol 32, Num 6, pp 722-724, issn 0741-3106, 3 p.Article

Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs Using HfO₂ as a Gate Oxide : Heterostructure microelectronics with TWHM 2007SUGIURA, Shun; KISHIMOTO, Shigeru; MIZUTANI, Takashi et al.IEICE transactions on electronics. 2008, Vol 91, Num 7, pp 1001-1003, issn 0916-8524, 3 p.Article

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Characterization of sub-100 nm-MOS-transistors processed by optical lithography and a sidewall-etchback techniqueHORSTMANN, J. T; HILLERINGMANN, U; GOSER, K et al.Microelectronic engineering. 1996, Vol 30, Num 1-4, pp 431-434, issn 0167-9317Conference Paper