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THERMOELECTROGENERATEURS SOLAIRES (TEGS) A SEMI-CONDUCTEURS: MATERIAUX ET TRANSFORMATEURSBARANOVA RK; KOKHOVA II; MALEVSKY IN et al.sdIN: CONGR. INT. SOLEIL SERV. HOMME; PARIS; 1973; S.L.; DA. S.D.; PP. 1-13; BIBL. 7 REF.Conference Paper

Intégration d'un laser B.R.S. 1,3 microns et de transistors MPIS InP de commande: réalisation, caractérisation et modélisation = Integration of a 1,3 microns B.R.S. laser and of a MISFET's driver circuit: realization, characterization and simulation modelDelorme, Franck; Koster, A.1990, 194 p.Thesis

THE RATIONALE FOR LOGIC FROM SEMICONDUCTOR MEMORYDAVIDOW WH.1972; IN: AM. FED. INF. PROCESS. SOC. SPRING JT COMPUT. CONF. ATLANTIC CITY, N.J. 1972. PROC.; MONTVALE, N.J.; AFIPS PRESS; DA. 1972; PP. 353-358; BIBL. 2 REF.Conference Proceedings

IMPROVING THE QUALITY OF THE ULTRASONIC WELDING OF METAL TO SEMICONDUCTORS = AMELIORATION DE LA QUALITE DU SOUDAGE PAR ULTRASONS D'UN METAL AVEC UN SEMI-CONDUCTEURMAZUR AI; ALESHECHKIN VG; SHORSHOROV M KH et al.1974; AUTOMAT. WELDG; G.B.; DA. 1974; VOL. 27; NO 1; PP. 66-68; BIBL. 6 REF.; TRAD. DU RUSSE: AVTOMAT. SVARKA, S.S.S.R., 1974, NO 1, 69-71Article

VARIATIONS OF THE PHOTORESPONSE ON SMALL PBS-DETECTORSFAHRBACH U; HOFMANN W; LEMKE D et al.1973; ASTR., AND ASTROPHYS.,; GERM.; DA. 1973; VOL. 23; NO 3; PP. 461-462Serial Issue

Electrocristallisation de métaux sur n-GaAs et n-InP = Metal electrocristallization on n-GaAs and n-InPAllemand, Luc; Cachet, Hubert.1990, 139 p.Thesis

Plasma technologies and modern microelectronicsATANASSOVA, E.Priroda (Sofiâ). 1993, Num 1, pp 59-64, issn 0032-8731Article

LE PRIX DE L'OR ET LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURSBLANCHUT R.1974; TRAITEMENTS DE SURFACE; FR.; DA. 1974; VOL. 15; NO 131; PP. 35-37Article

Sulfuration de InP de type n par voie électrolytique = Electrolytic sulfuration of n-InPMoreau, Thierry; Herlem; Chemla, Marius et al.1989, 120 p.Thesis

BREVET 2.260.451 (A1) (7504327). A 12 FEVRIER 1975. PROCEDE D'ELABORATIONS D'UNE CONFIGURATION DE COUCHE SUR UN SUBSTRATsdPatent

APPLICATION DES SEMI-CONDUCTEURS DE DETECTION DU TYPE CDS A LA MESURE DES DOSES EN RADIOTHERAPIEMIKOSZA H.1972; ROCZ. POMORSK. AKAD. MED. KAROLA SWIERCZEWSKIEGO SZCZECINIE; POLSKA; DA. 1972; SUPPL. 4; PP. 133-138; ABS. RUSSE ANGLSerial Issue

Infringement found under Circuit Layouts ActComputer Law and Practice. 1992, Vol 8, Num 5, pp 165-167Article

Entgraten von prismatischen Kleinteilen mit dem Industrieroboter ZIM 10 unter Nutzung eigener Sensorlösungen = Ebavurage de petites pièces prismatiques avec le robot industriel ZIM 10 qui utilise des capteurs spécialement conçus = Deburring of small prismatic parts by the industrial robot ZIM 10 by means of utilizing sensors developed from useBODE, B; HEYDE, E; SCHWIENTEK, G et al.Fertigungstechnik und Betrieb. 1986, Num 1, pp 39-40, issn 0015-024XArticle

Stabilisation par injection optique d'un laser à semi-conducteur = Spectral stabilization by injection-locking of a semiconductor laserBouyer, Jean-Philippe; Aspect, Alain.1992, 394 p.Thesis

Stabilisation en fréquence de diodes lasers par couplage optique résonant sur une cavité Fabry-Perot confocale = Frequency stabilization of diode lasers with optical feedback on confocal Fabry-Perot cavityLaurent, Philippe; Granveaud, Michel.1989, 383 p.Thesis

Contribution à la modélisation de lignes micro-coplanaires sur substrats semi-conducteurs : application au transistor à effet de champBenghalia, Abdelmadjid; Baudrand, Henri.1989, 111 p.Thesis

The Circuit Layouts Act 1989GAZE, B.Special issue. Australia and New Zealand. Computer Law and Practice. 1991, Vol 7, Num 3, pp 98-100Book Chapter

An overview of the Berne Convention, generally and in relation to computer programs and semiconductor chipsSCHUZ, A. D.Tolley's computer law and practice. 1993, Vol 9, Num 4, pp 115-121, issn 1359-5989Article

ELECTRON BEAM PROBE STUDIES OF SEMICONDUCTOR INSULATOR INTERFACES.BOTTOMS WR; GUTERMAN D.1974; J. VACUUM SCI. TECHNOL.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 11; NO 6; PP. 965-971; BIBL. 17 REF.; (SYMP. ELECTRON. STRUCT. PROP. INTERFACES. PROC.; PRINCETON, N.J.; 1973)Conference Paper

NEUE TEMPERATURMESSUMFORMER FUER DIE VERFAHRENSTECHNIK = NOUVEAUX TRANSDUCTEURS INDUSTRIELS POUR LA MESURE DES TEMPERATURESHOENE E; KLOPFEL K.1974; SIEMENS Z.; DTSCH.; DA. 1974; VOL. 48; NO 9; PP. 635-638; ABS. ANGLArticle

A COMPARISON OF MEASUREMENTS OF THE CHARGE SPECTRUM OF SOLAR COSMIC RAYS FROM NUCLEAR EMULSIONS AND THE EXPLORER 35 SOLID-STATE DETECTORARMSTRONS TP; KRIMIGIS SM; REAMES DV et al.1972; J. GEOPHYS. RES.; U.S.A.; DA. 1972; VOL. 77; NO 19; PP. 3607-3612; BIBL. 7REF.Serial Issue

MESURE DE LA RESISTANCE SPECIFIQUEOKHOTIN AS; PUSHKARSKIJ AS; BOROVIKOVA RP et al.1974; IN: METODY IZMER. KHARAKT. TERMOEHLEKTR. MATER. PREOBRAZOVATELEJ; MOSKVA; NAUKA; DA. 1974; PP. (18 P.); BIBL. 33 REF.Book Chapter

Inverse problems on Fermi systems and ionic crystalsNAN-XIAN CHEN; REN, G.-B.Physics letters. A. 1991, Vol 160, Num 4, pp 319-324, issn 0375-9601Article

SOUDAGE PAR ULTRASONS AVEC REGLAGE CONTINU DE LA FREQUENCE LORS DE LA FORMATION DU JOINT SOUDEMAZUR AI; ALEKHIN VP.1974; SUAROCH. PROIZVOD.; S.S.S.R.; DA. 1974; NO 10; PP. 23-24; BIBL. 4 REF.Article

GAS DETECTION IN VEHICLE TUNNELS = DETECTION DE GAZ DANS LES TUNNELS POUR VEHICULECRITCHLOW A.1973; TUNNELS AND TUNNELLG; G.B.; DA. 1973; VOL. 5; NO 2; PP. 151-153; BIBL. 2 REF.Serial Issue

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