EFFET D'UN TRAITEMENT PLASMO-CHIMIQUE SUR L'ETAT DE CHARGE DU SYSTEME DIELECTRIQUE-SILICIUMDIKAREV YU I; SAKHAROV BN; GOL'DFARB VA et al.1983; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1983; VOL. 12; NO 2; PP. 113-116; BIBL. 16 REF.Article

DYNAMIQUE DE LA COMMUTATION TERMIQUE DANS UN MILIEU A TRANSITION DE PHASE DIELECTRIQUE-METALKAPAEV VV; TIMEROV R KH.1976; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 5; NO 4; PP. 338-343; BIBL. 6 REF.Article

INTERFACE POLARIZATION IN SILICON ON SAPPHIREKRUSIUS P; DUBE C; FREY J et al.1981; APPL. PHYS. LETT.; ISSN 0003-6951; USA; DA. 1981; VOL. 38; NO 7; PP. 547-549; BIBL. 18 REF.Article

MIGRATION DES IONS SUR LA SURFACE DE STRUCTURES DIELECTRIQUE SEMICONDUCTEURVENKSTERN SA; KOZLOV SN.1979; MIKROELEKTRONIKA; SUN; DA. 1979; VOL. 8; NO 3; PP. 239-248; BIBL. 8 REF.Article

MESURES DES TENSIONS DE CONTACT SUR DES STRUCTURES SEMICONDUCTEUR-ISOLANTBUCHHEIM G.1978; EXPER. TECH. PHYS.; DDR; DA. 1978; VOL. 26; NO 5; PP. 507-520; ABS. RUS/ENG; BIBL. 14 REF.Article

PROCESSUS IONIQUES DANS LES COUCHES DIELECTRIQUES A LA SURFACE DU SILICIUM ET LEUR INFLUENCE SUR LES PROPRIETES ELECTROPHYSIQUES DE LA LIMITE SILICIUM-DIELECTRIQUETARNATOV YU A; KAS'YANENKO EV; KONOROV PP et al.1977; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 20; NO 9; PP. 46-50; BIBL. 8 REF.Article

DISTRIBUTION INITIALE DE LA TENSION DANS UN SYSTEME FERROELECTRIQUE-SEMICONDUCTEURTAMUTIS PK.1976; LITOV. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 16; NO 6; PP. 865-870; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article

EIN BEITRAG ZUR KLAERUNG DER HERKUNFT DER ISOLATORLADUNGEN IN ISOLATOR-HALBLEITER-HETEROUEBERGANGSSTRUKTUREN = CONTRIBUTION A LA CLARIFICATION DE L'ORIGINE DES CHARGES DANS L'ISOLANT DANS DES HETEROSTRUCTURES ISOLANT SEMICONDUCTEURLOBNER B; LIPPMANN H.1978; WISSENSCH. Z. TECH. HOCHSCH. KARL. MARX-STADT; DDR; DA. 1978; VOL. 20; NO 5; PP. 611-622; BIBL. 27 REF.Article

CINETIQUE DU TRANSPORT DE CHARGE DANS LES STRUCTURES SEMICONDUCTEUR DIELECTRIQUEAKOPYAN RM; BRODZELI MI; KONSTANTINOV GD et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 7; PP. 1254-1260; BIBL. 10 REF.Article

ON THE FEASIBILITY OF OBSERVING PHOTOEMISSION FROM METAL CONTACTS INTO ANTHRACENE.LEVINSON J; BURSHTEIN Z; MANY A et al.1974; MOLEC. CRYST. LIQUID CRYST.; G.B.; DA. 1974; VOL. 26; NO 3-4; PP. 329-347; BIBL. 21 REF.Article

PHOTO-ASSISTED ELECTRON INJECTION AT A SEMICONDUCTOR-NH₃ INTERFACEKROHN CE; THOMPSON JC.1979; CHEM. PHYS. LETTERS; NLD; DA. 1979; VOL. 65; NO 1; PP. 132-135; BIBL. 12 REF.Article

ROLE DES ELECTRONS DE CONDUCTION DANS LA FORMATION DE LA RESISTANCE THERMIQUE A LA LIMITE METAL-DIELECTRIQUESHKLOVSKIJ VA.1977; PIS'MA ZH. EKSPER. TEOR. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 26; NO 10; PP. 679-683; BIBL. 5 REF.Article

VARIATION DE LA DENSITE DES ETATS SUPERFICIELS A LA LIMITE DE SEPARATION SEMICONDUCTEUR-DIELECTRIQUE DURANT LA FABRICATION DE MATRICES INTEGREES DE DIODESGAYIDEHNKA PP; KALESHKA UM; BUYIKO LD et al.1977; VESCI AKAD. NAVUK B.S.S.R., FIZ. MAT. NAVUK; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 4; PP. 105-108; BIBL. 8 REF.Article

USE OF THE FRESNEL EQUATIONS IN THE THEORY OF ANGLE-RESOLVED PHOTOEMISSION.WHITAKER MAB.1978; J. PHYS. C; G.B.; DA. 1978; VOL. 11; NO 4; PP. L151-L156; BIBL. 13 REF.Article

PARTICULARITES DE LA VARIATION THERMIQUE DE LA HAUTEUR D'UNE BARRIERE DE POTENTIEL DANS LES SEMICONDUCTEURSDMITRUK NL; LITOVCHENKO VG; MAEVA OI et al.1978; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 23; NO 6; PP. 907-911; ABS. ANGL.; BIBL. 10 REF.Article

CINETIQUE DU COURANT ACOUSTOELECTRIQUE SUPERFICIEL DANS UNE STRUCTURE LAMELLAIRE LINBO₃-CDSYUTSIS AI; GARSHKA EH P; PAGALITE RN et al.1976; SBOR. FIZ. SBOR.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 16; NO 6; PP. 841-846; ABS. LITU. ANGL.; BIBL. 11 REF.Article

MODIFICATION DES PROPRIETES ELECTROPHYSIQUES D'UN SYSTEME SI-SI₃N₄ LORS DE LA CONVERSION ELECTROCHIMIQUE D'UNE COUCHE DIELECTRIQUEKONOROV PP; TARANTOV YU A; BULAVINOV VV et al.1976; MIKROELEKTRONIKA; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 5; NO 6; PP. 540-543; BIBL. 7 REF.Article

THE ELECTRONIC PROPERTIES OF EPITAXIAL LAYERS. I.MATARE HF.1976; SOLID STATE TECHNOL.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 19; NO 1; PP. 25-34; BIBL. 36 REF.Article

BARRIER HEIGHTS AND SURFACE STATE OF METAL-POLYMER (PET) CONTACTS.MIZUTANI T; TAKAI Y; OSAWA T et al.1976; J. PHYS. D; G.B.; DA. 1976; VOL. 9; NO 15; PP. 2253-2259; BIBL. 13 REF.Article

ELECTRODE- AND BULK-LIMITED CURRENTS IN THIN FILMS OF ALIPHATIC UNSATURATED POLY (1,3,4)-OXADIAZOLES.VODENICHAROVA M; VODENICHAROV C.1977; PHYS. STATUS SOLIDIDI, A; ALLEM.; DA. 1977; VOL. 41; NO 2; PP. 487-491; ABS. ALLEM.; BIBL. 20 REF.Article

FORMATION AND SCHOTTKY BEHAVIOR OF MANGANESE SILICIDES ON N-TYPES SILICONEIZENBERG M; TU KN.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 10; PP. 6885-6890; BIBL. 26 REF.Article

A STUDY OF VANADIUM AS DIFFUSION BARRIER BETWEEN ALUMINIUM AND GADOLINIUM SILICIDE CONTACTSEIZENBERG M; THOMPSON RD; TU KN et al.1982; J. APPL. PHYS.; ISSN 0021-8979; USA; DA. 1982; VOL. 53; NO 10; PP. 6891-6897; BIBL. 10 REF.Article

CARACTERISATION DE L'INTERFACE METAL-DIELECTRIQUE PAR L'ETUDE DE L'IMPEDANCE COMPLEXE DES STRUCTURES AL/CDS/AU OBTENUES PAR PULVERISATION CATHODIQUEPIEL A; MURRAY H.1978; THIN SOLID FILMS; NLD; DA. 1978; VOL. 55; NO 2; PP. 261-273; ABS. ENG; BIBL. 21 REF.Article

THE EFFECT OF ELECTRON-BEAM ALUMINIZATION ON THE SI-SAPPHIRE INTERFACE.GOODMAN AM; WEITZEL CE.1977; APPL. PHYS. LETTERS; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 31; NO 2; PP. 114-117; BIBL. 21 REF.Article

FRINGING FIELDS AND INTERFACE STATES EFFECTS ON INCOMPLETE CHARGE TRANSFER IN CHARGE-COUPLED DEVICES.BARSAN RM.1976; REV. ROUMAINE PHYS.; ROUMAN.; DA. 1976; VOL. 21; NO 8; PP. 815-828; ABS. FR.; BIBL. 9 REF.Article