Recherche par classification
001B60A72 Défauts et impuretés dans les cristaux; microstructure.
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001
Sciences exactes et technologie.
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001B
Physique.
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001B60
Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques. (voir aussi 002A03G, 001D10, 001D09, 001D08B, 001B80A40, 001B30F40)
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001B60A
Structure des liquides et des solides; cristallographie. (voir aussi 001B80A30, 001B60H, 001B60D)
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001B60A72
Défauts et impuretés dans les cristaux; microstructure. (voir aussi 001B60H35D, 001B60H, 001B60A80)
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001B60A72B Théories et modèles de défauts cristallins.
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001B60A72C Cinétique de la formation de défauts et processus de recuit de défauts.
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001B60A72D Etude expérimentale de défauts par diffraction et diffusion.
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001B60A72F Observation directe de dislocations et d'autres défauts (par piqûres d'attaque, décoration, microscopie électronique, topographie RX, etc.).
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001B60A72H Mise en évidence indirecte de dislocations et d'autres défauts (résistivité, glissement, fluage, déformations, frottement interne, RPE, RMN, etc.).
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001B60A72J Défauts ponctuels (lacunes, interstitiels, centres colorés, etc.) et agrégats de défauts.
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001B60A72L Défauts linéaires: dislocations, disinclinaisons.
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001B60A72M Joints de grains et joints de macle.
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001B60A72N Défauts d'empilement et autres défauts plans ou étendus.
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001B60A72Q Défauts microscopiques (cavités, inclusions, etc.).
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001B60A72S Impuretés: concentration, distribution et gradients d'impureté. (voir aussi 001B60F)
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001B60A72T Dopage et implantation d'impuretés dans le germanium et le silicium.
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001B60A72V Dopage et implantation d'impuretés dans les composés III-V et II-VI.
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001B60A72W Dopage et implantation d'impuretés dans d'autres matériaux.
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001B60A72Y Interaction entre divers types de défauts cristallins; effet de piégeage.
Intitulés
- fr : Défauts et impuretés dans les cristaux; microstructure.
- en : Defects and impurities in crystals; microstructure.
Notation SKOS
001B60A72
Dans le plan
Plan de Classement Pascal