Charge trapping in SiO₂/HfO₂ gate dielectrics: Comparison between charge-pumping and pulsed I_D-V_G

Auteur

KERBER, A^{1 2} ; CARTIER, E^{2 3} ; PANTISANO, L⁴ ; DEGRAEVE, R⁴ ; GROESENEKEN, G^{4 5} ; MAES, H. E^{4 5} ; SCHWALKE, U⁶
[1] Infineon Technologies AG, Otto Hahn Ring 6, 81739 Munich, Germany
[2] Fnternational SEMATECH assignee at IMEC, Austin, TX 78741, United States
[3] IBM Research Division, Yorktown Heights, NY 10598, United States
[4] IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium
[5] KU Leaven, Kasteelpark Arenberg 10, 3001 Leuven, Belgium
[6] Institut für Halbleitertechnik TU-Darmstadt, Schlossgartenstr. 8, 64289 Darmstadt, Germany

Titre de la conférence

INFOS 2003 Proceedings of the 13th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors: June 18-20, 2003, Barcelona, Spain

Nom de la conférence

Biannual Conference on Insulating Films on Semiconductors (13 ; Barcelona 2003-06-18)

Auteur (monographie)

MORANTE LLEONART, Joan-RamÓn (Editor)¹
University of Barcelona, Spain (Funder/Sponsor)
[1] Department of Electronics, Universitat de Barcelona, C/Marti i Franques 1, 2nd floor, Barcelona 02028, Spain

Source

Microelectronic engineering. 2004, Vol 72, Num 1-4, pp 267-272, 6 p ; ref : 6 ref

CODEN

MIENEF

ISSN

0167-9317

Domaine scientifique

Electronics

Editeur

Elsevier Science, Amsterdam

Pays de publication

Netherlands

Type de document

Conference Paper

Langue

English

Mot clé (fr)

Caractéristique courant tension Composé binaire Etude comparative Hafnium oxyde Piégeage porteur charge Pompage charge Silicium oxyde Hf O HfO2 O Si SiO2

Mot clé (en)

Voltage current curve Binary compound Comparative study Hafnium oxide Charge carrier trapping Charge pumping Silicon oxides

Mot clé (es)

Característica corriente tensión Compuesto binario Estudio comparativo Hafnio óxido Captura portador carga Bombeo carga

Classification

Pascal

001 Sciences exactes et technologie / 001D Sciences appliquees / 001D03 Electronique / 001D03F Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide / 001D03F01 Interfaces

Discipline

Electronics

Provenance

Inist-CNRS

Base de données

PASCAL

Identifiant INIST

15646167

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