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Shortened photoconductance lifetime of Si/SiGe heterostructures due to interfacial oxygen or carbon from incomplete in-situ hydrogen cleans

Auteur
CARROLL, M. S1 ; KING, C. A1
[1] Agere Systems, Allentown, PA 18109, United States
Source

Thin solid films. 2005, Vol 473, Num 1, pp 137-144, 8 p ; ref : 30 ref

CODEN
THSFAP
ISSN
0040-6090
Domaine scientifique
Crystallography; Electronics; Metallurgy, welding; Condensed state physics
Editeur
Elsevier Science, Lausanne
Pays de publication
Switzerland
Type de document
Article
Langue
English
Mot clé auteur
Computer simulation Epitaxy Photoconductivity SiGe
Mot clé (fr)
Alliage Ge Si Carbone Composé minéral Couche Durée vie Dépôt chimique phase vapeur Epitaxie Gradin Hydrogène Hétérostructure In situ Interface Oxygène Photoconductivité Semiconducteur Silicium Substrat Ge Si Si SiGe
Mot clé (en)
Ge-Si alloys Carbon Inorganic compounds Layers Lifetime CVD Epitaxy Step Hydrogen Heterostructures In situ Interfaces Oxygen Photoconductivity Semiconductor materials Silicon Substrates
Mot clé (es)
Peldaño In situ
Classification
Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B60 Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques / 001B60H Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques)

Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B70 Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques / 001B70C Structure électronique et propriétés électriques des surfaces, interfaces, couches minces et structures de basse dimensionnalité

Discipline
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Provenance
Inist-CNRS
Base de données
PASCAL
Identifiant INIST
17139798

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