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Simulation and optimisation of terahertz emission from InGaAs and InP photoconductive switches

Auteur
LLOYD-HUGHES, J1 ; CASTRO-CAMUS, E1 ; JOHNSTON, M. B1
[1] Clarendon Laboratory, Department of Physics, University of Oxford, Parks Road, Oxford OX1 3PU, United Kingdom
Source

Solid state communications. 2005, Vol 136, Num 11-12, pp 595-600, 6 p ; ref : 22 ref

CODEN
SSCOA4
ISSN
0038-1098
Domaine scientifique
Crystallography; Electronics; Metallurgy, welding; Condensed state physics
Editeur
Elsevier, Oxford
Pays de publication
United Kingdom
Type de document
Article
Langue
English
Mot clé auteur
42.72.Ai 73.20.Mf 78.20.Bh 78.47.+p A. InP A. InGaAs D. Photoconductive switch D. Ultrafast photonics E. Terahertz radiation
Mot clé (fr)
Domaine fréquence THz Fonction diélectrique Gallium arséniure Implantation ion Indium arséniure Indium phosphure Mobilité électron Modèle Drude Optimisation Piégeage porteur charge Processus ultrarapide Semiconducteur Spectrométrie pompe sonde Structure bande 7847 InGaAs InP
Mot clé (en)
THz range Dielectric function Gallium arsenides Ion implantation Indium arsenides Indium phosphides Electron mobility Drude model Optimization Charge carrier trapping Ultrafast process Semiconductor materials Pump probe spectrometry Band structure
Mot clé (es)
Captura portador carga Proceso ultrarrápido Espectrometría bomba sonda
Classification
Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B70 Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques / 001B70H Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement / 001B70H47 Spectroscopies optiques à résolution temporelle et autres mesures optiques ultrarapides

Discipline
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Provenance
Inist-CNRS
Base de données
PASCAL
Identifiant INIST
17327374

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