Protons at the Si-SiO2 interface : a first principle investigation
- Auteur
- GODET, Julien; PASQUARELLO, Alfredo
[1] Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Institute of Theoretical Physics, 1015 Lausanne, Switzerland
[2] Institut Romand de Recherche Numérique en Physique des Matériaux (IRRMA), 1015 Lausanne, Switzerland - Titre de la conférence
- INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, 2007, Glyfada Athens, Greece
- Nom de la conférence
- INFOS 2007 Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors (15 ; Glyfada Athens 2007-06-20)
- Auteur (monographie)
- DIMOULAS, A (Editor)1 ; NORMAND, P (Editor)1
NCSR Demokritos, Athens, Greece (Organiser of meeting)
National Technical University of Athens, Athens, Greece (Organiser of meeting)
University of Ioannina, Ioannina, Greece (Organiser of meeting)
[1] NCSR Demokritos, Athens, Greece - Source
Microelectronic engineering. 2007, Vol 84, Num 9-10, pp 2035-2038, 4 p ; ref : 27 ref
- CODEN
- MIENEF
- ISSN
- 0167-9317
- Domaine scientifique
- Electronics
- Editeur
- Elsevier Science, Amsterdam
- Pays de publication
- Netherlands
- Type de document
- Conference Paper
- Langue
- English
- Mot clé auteur
- Si-SiO2 interface defect proton
- Mot clé (fr)
- Contact isolant semiconducteur Energie interface
- Mot clé (en)
- Semiconductor insulator contact Interface energy
- Mot clé (es)
- Contacto aislante semiconductor Energía interfase
- Classification
- Pascal
- 001 Sciences exactes et technologie / 001D Sciences appliquees / 001D03 Electronique / 001D03F Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide / 001D03F01 Interfaces
- Discipline
- Electronics
- Provenance
- Inist-CNRS
- Base de données
- PASCAL
- Identifiant INIST
- 18853504
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DOI
10.1016/j.mee.2007.04.122 
https://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2007.04.122
