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Annealing effects on zinc oxide-silica films prepared by sol-gel technique for chemical sensing applications

Auteur
ATIF MOSSAD ALI1 2 ; ISMAIL, Adel A3 4 ; NAJMY, Rasha5 ; AL-HAJRY, Ali3 6
[1] Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, Abha, Saudi Arabia
[2] Department of Physics, Faculty of Science, Assiut University, Assiut 71516, Egypt
[3] Promising Centre for Sensors and Electronic Devices (PCSED), Najran University, PO Box 1988, Najran 11001, Saudi Arabia
[4] Central Metallurgical R&D Institute, CMRDI, Helwan, Cairo 11421, Egypt
[5] Science Department, Girls' College of Education, King Khalid University, Saudi Arabia
[6] Department of Physics, College of Science and Arts, Najran University, Saudi Arabia
Source

Thin solid films. 2014, Vol 558, pp 378-384, 7 p ; ref : 38 ref

CODEN
THSFAP
ISSN
0040-6090
Domaine scientifique
Crystallography; Metallurgy, welding; Condensed state physics
Editeur
Elsevier, Amsterdam
Pays de publication
Netherlands
Type de document
Article
Langue
English
Mot clé auteur
Chemical sensors Composite Optical band gap Photoluminescence Silicon dioxide Sol-gel deposition Structural properties Zinc oxide
Mot clé (fr)
Analyse diffraction RX Analyse quantitative Bande interdite photonique Capteur chimique Cinétique réaction Couche mince Dépendance température Déplacement raie Déplacement vers le bleu Déplacement vers le rouge Forme sphérique Grosseur grain Hydrazine Matériau composite Microscopie électronique transmission Morphologie surface Nanomatériau Nanoparticule Ordre 2 Oxyde de zinc Photoluminescence Procédé sol gel Propriété optique Recuit thermique Silice Silicium Structure surface Température recuit 6855J 7855 8107 8115L Substrat silicium ZnO
Mot clé (en)
X-ray diffraction analysis Quantitative chemical analysis Photonic band gap Chemical sensors Reaction kinetics Thin films Temperature dependence Spectral line shift Blue shift Red shift Spherical shape Grain size Hydrazine Composite materials Transmission electron microscopy Surface morphology Nanostructured materials Nanoparticles Second order Zinc oxide Photoluminescence Sol-gel process Optical properties Thermal annealing Silica Silicon Surface structure Annealing temperature
Mot clé (es)
Forma esférica Orden 2 Zinc óxido Recocido térmico Temperatura recocido
Classification
Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B60 Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques / 001B60A Structure des liquides et des solides; cristallographie / 001B60A16 Microscopies électronique, ionique et en champ proche

Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B60 Etat condense: structure, proprietes mecaniques et thermiques / 001B60H Surfaces et interfaces; couches minces et trichites (structure et propriétés non électroniques) / 001B60H55 Structure et morphologie de couches minces / 001B60H55J Structure et morphologie; épaisseur

Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B70 Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques / 001B70H Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement / 001B70H55 Photoluminescence

Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B80 Domaines interdisciplinaires: science des materiaux; rheologie / 001B80A Science des matériaux / 001B80A15 Méthodes de dépôt de films et de revêtements; croissance de films et épitaxie / 001B80A15L Epitaxie en phase liquide; dépôt en phase liquide (phases fondues, solutions et couches superficielles sur des liquides)

Discipline
Physics and materials science Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Provenance
Inist-CNRS
Base de données
PASCAL
Identifiant INIST
28423013

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