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Dependence of characteristics of Br-type magnetically insulated diode on configuration of insulating magnetic field

Auteur
CHISHIRO, E1 ; MATSUYAMA, A1 ; MASUGATA, K1 ; YATSUI, K1
[1] Laboratory of Beam Technology, Nagaoka University of Technology, Nagaoka, Niigata 940-21, Japan
Source

Japanese journal of applied physics. 1996, Vol 35, Num 4A, pp 2350-2355 ; 1 ; ref : 9 ref

CODEN
JJAPA5
ISSN
0021-4922
Domaine scientifique
Crystallography; Optics; Condensed state physics; Physics; Plasma physics
Editeur
Japanese journal of applied physics, Tokyo
Pays de publication
Japan
Type de document
Article
Langue
English
Mot clé (fr)
Appareillage Configuration champ magnétique Confinement inertiel Diode Dispositif ICF Faisceau ionique Fonctionnement Ion léger Isolation magnétique Source ion
Mot clé (en)
Instrumentation Magnetic field configurations Inertial confinement Diodes ICF devices Ion beam Operation Light ions Magnetic insulation Ion sources
Mot clé (es)
Haz iónico
Classification
Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B20 Physique nucleaire / 001B20I Méthodes expérimentales et appareillage pour les particules élémentaires et la physique nucléaire / 001B20I25 Sources de particules et cibles / 001B20I25N Sources d'ions: positifs et négatifs

Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B50 Physique des gaz, des plasmas et des decharges electriques / 001B50B Physique des plasmas et décharges électriques / 001B50B58 Autres méthodes de confinement / 001B50B58E Confinement inertiel par faisceaux d'ions légers

Pacs
2925N

Pacs
5258E

Discipline
Nuclear physics Physics of gases, plasmas and electric discharges
Provenance
Inist-CNRS
Base de données
PASCAL
Identifiant INIST
3096097

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