Puissance d'émission stimulée de trous chauds dans Ge-p en champs E⊥H
- Auteur
- VOROB'EV, L. E1 ; DANILOV, S. N; STAFEEV, V. I
[1] Leningradskij politekh. inst. im. M.I. Kalinina, Ussr - Source
Fizika i tehnika poluprovodnikov. = Physics and technics of semiconductors. 1987, Vol 21, Num 9, pp 1707-1710 ; ref : 9 ref
- CODEN
- FTPPA4
- ISSN
- 0015-3222
- Domaine scientifique
- Electronics; Condensed state physics
- Editeur
- Nauka, Sankt-Peterburg
- Pays de publication
- Russian Federation
- Type de document
- Article
- Langue
- Russian
- Mot clé (fr)
- Champ croisé Champ magnétique Champ électrique Conductivité type p Emission stimulée Etude expérimentale Germanium Porteur chaud Semiconducteur Trou
- Mot clé (en)
- Crossed fields Magnetic field Electric field P type conductivity Stimulated emission Experimental study Germanium Hot carrier Semiconductor materials Hole
- Mot clé (es)
- Campo cruzado Campo magnético Campo eléctrico Conductividad tipo p Emisión estimulada Estudio experimental Germanio Portador caliente Semiconductor(material) Hoyo
- Classification
- Pascal
- 001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B70 Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques / 001B70H Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement / 001B70H45 Emission stimulée
- Discipline
- Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
- Provenance
- Inist-CNRS
- Base de données
- PASCAL
- Identifiant INIST
- 7515153
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Accès par arXiv
