Bases bibliographiques Pascal et Francis

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Studies of the deep levels in p-type InSb under pressure

Autre titre
Studien der tiefen Niveaus in p-InSb unter Druck (de)
Auteur
ALADASHVILI, D.I; KONCZEWICZ, L; POROWSKI, S
Tbilisskij Gosudarstvennyj Univ. Fizicheskij Fakuĺtet
Source

Physica status solidi. A. Applied research. 1984, Vol 86, Num 1, pp 301-308 ; ref : 24 ref

CODEN
PSSABA
ISSN
0031-8965
Domaine scientifique
Crystallography; Electronics; Metallurgy, welding; Condensed state physics
Editeur
Wiley-VCH, Berlin
Pays de publication
Germany
Type de document
Article
Langue
English
Mot clé (fr)
Composé intermétallique Densité trou Effet Hall InSb Pression Semiconducteur
Mot clé (en)
Intermetallic compound Hole density Hall effect Pressure Semiconductor
Mot clé (de)
Intermetallische Verbindung Loecherdichte Hall Effekt Druck Halbleiter
Classification
Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B70 Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques / 001B70B Transport électronique / 001B70B15 Conduction électronique dans les métaux et alliages

Discipline
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Provenance
WELAND
Base de données
PASCAL
Identifiant INIST
8558730

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